功率(Pd) | 225mW | 反向传输电容(Crss@Vds) | 5pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 8Ω@10V |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 1.77nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 60V | 类型 | 1个P沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 30pF | 连续漏极电流(Id) | 170mA |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 900mV@0.15A |
基本描述:
BSS84是一款常见的P沟道场效应管(MOSFET),其额定功耗为350mW,能够在60V的电压下稳定工作,并具备50V的耐压能力,最大漏电流可达到115mA,瞬时承载电流可达130mA,采用SOT-23(TO-236)封装。BSS84广泛应用于各种电子电路中,具有良好的开关特性和热稳定性,非常适合用于低功耗应用场景。
产品特点:
P沟道设计:BSS84是P沟道MOSFET,具有较低的导通电阻(RDS(on)),使其在导通状态下能够高效传输电流,减少功耗和热量产生。
高耐压:该 MOSFET 的最大漏极到源极电压(VDS)为60V,允许其在多种高压应用中稳定工作,适合需要高电压控制的场合。
小型封装:SOT-23封装使得BSS84在表面贴装元器件中占用的空间较小,非常适合紧凑型电路设计,有利于提高电路的集成度。
优良的开关特性:BSS84的输入门极电压(VGS)范围适合低电平驱动,从而在数字和模拟电路中均能快速开启和关闭,提高开关效率。
广泛应用:BSS84适用于开关电源、LED驱动电路、模拟开关、信号调节及高侧或低侧开关等各类应用,尤其适合低功耗和便携设备的设计。
应用场景:
开关电源:BSS84可作为开关电源中的开关元件,因其较小的导通电阻和高效的开关特性,能够有效提高电源转换效率。
LED驱动电路:在LED应用中,BSS84可以通过PWM信号调节LED亮度,控制灯光效果,其快速开关能力使得LED驱动更为高效。
电子负载:在电子负载测试系统中,BSS84可以作为负载元件,精准控制负载电流。
模拟信号调节:BSS84适合用于CMOS电路中的模拟信号开关,能够实现精准的信号传输和调节,广泛应用于音频设备和传感器应用。
低功耗设备:由于其低功耗特性,BSS84非常适合在便携式和低功耗消费电子产品中使用,如移动电话、平板电脑等。
结论:
整体来看,BSS84是一款高效、可靠且功能强大的P沟道MOSFET,其在电子设计中的应用具有重大意义。无论是用于低功耗设备、开关电源、LED驱动电路,还是作为信号调节器,BSS84的性能均能满足现代电子产品对高效能和小型化的要求。对于希望在空间有限的电路设计中实现优异性能的设计师,BSS84无疑是一个理想的选择。在选定合适的元器件时,BSS84提供了出色的电气特性,很好地适应了市场对于高效能低功耗电子产品的需求。