BSS84 产品实物图片
BSS84 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

BSS84

商品编码: BM0221453209
品牌 : 
YANGJIE(扬杰)
封装 : 
SOT-23-3
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 350mW 60V;50V 115mA;130mA 1个P沟道 SOT-23(TO-236)
库存 :
2240(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.06042
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.06042
--
200+
¥0.05985
--
1500+
¥0.05928
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

BSS84参数

功率(Pd)225mW反向传输电容(Crss@Vds)5pF
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)8Ω@10V
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)1.77nC@10V
漏源电压(Vdss)60V类型1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)30pF连续漏极电流(Id)170mA
阈值电压(Vgs(th)@Id)900mV@0.15A

BSS84手册

BSS84概述

BSS84 产品概述

基本描述:

BSS84是一款常见的P沟道场效应管(MOSFET),其额定功耗为350mW,能够在60V的电压下稳定工作,并具备50V的耐压能力,最大漏电流可达到115mA,瞬时承载电流可达130mA,采用SOT-23(TO-236)封装。BSS84广泛应用于各种电子电路中,具有良好的开关特性和热稳定性,非常适合用于低功耗应用场景。

产品特点:

  1. P沟道设计:BSS84是P沟道MOSFET,具有较低的导通电阻(RDS(on)),使其在导通状态下能够高效传输电流,减少功耗和热量产生。

  2. 高耐压:该 MOSFET 的最大漏极到源极电压(VDS)为60V,允许其在多种高压应用中稳定工作,适合需要高电压控制的场合。

  3. 小型封装:SOT-23封装使得BSS84在表面贴装元器件中占用的空间较小,非常适合紧凑型电路设计,有利于提高电路的集成度。

  4. 优良的开关特性:BSS84的输入门极电压(VGS)范围适合低电平驱动,从而在数字和模拟电路中均能快速开启和关闭,提高开关效率。

  5. 广泛应用:BSS84适用于开关电源、LED驱动电路、模拟开关、信号调节及高侧或低侧开关等各类应用,尤其适合低功耗和便携设备的设计。

应用场景:

  1. 开关电源:BSS84可作为开关电源中的开关元件,因其较小的导通电阻和高效的开关特性,能够有效提高电源转换效率。

  2. LED驱动电路:在LED应用中,BSS84可以通过PWM信号调节LED亮度,控制灯光效果,其快速开关能力使得LED驱动更为高效。

  3. 电子负载:在电子负载测试系统中,BSS84可以作为负载元件,精准控制负载电流。

  4. 模拟信号调节:BSS84适合用于CMOS电路中的模拟信号开关,能够实现精准的信号传输和调节,广泛应用于音频设备和传感器应用。

  5. 低功耗设备:由于其低功耗特性,BSS84非常适合在便携式和低功耗消费电子产品中使用,如移动电话、平板电脑等。

结论:

整体来看,BSS84是一款高效、可靠且功能强大的P沟道MOSFET,其在电子设计中的应用具有重大意义。无论是用于低功耗设备、开关电源、LED驱动电路,还是作为信号调节器,BSS84的性能均能满足现代电子产品对高效能和小型化的要求。对于希望在空间有限的电路设计中实现优异性能的设计师,BSS84无疑是一个理想的选择。在选定合适的元器件时,BSS84提供了出色的电气特性,很好地适应了市场对于高效能低功耗电子产品的需求。