MT41K256M8DA-125:K 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

MT41K256M8DA-125:K

商品编码: BM0221323353
品牌 : 
micron(镁光)
封装 : 
78-FBGA(8x10.5)
包装 : 
托盘
重量 : 
-
描述 : 
DRAM Chip DDR3L SDRAM 2Gbit 256Mx8 1.35V 78-Pin FBGA Tray
库存 :
6(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
8.944
按整 :
托盘(1托盘有2000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥8.944
--
100+
¥8.944
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

MT41K256M8DA-125:K参数

存储器类型易失存储器格式DRAM
技术SDRAM - DDR3L存储容量2Gb (256M x 8)
存储器接口并联时钟频率800MHz
访问时间13.75ns电压 - 供电1.283V ~ 1.45V
工作温度0°C ~ 95°C(TC)安装类型表面贴装型
封装/外壳78-TFBGA供应商器件封装78-FBGA(8x10.5)

MT41K256M8DA-125:K手册

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MT41K256M8DA-125:K概述

产品概述:MT41K256M8DA-125:K

基本信息与概述:

MT41K256M8DA-125:K是由镁光(Micron)公司生产的一款低功耗动态随机存取存储器(DRAM)芯片,属于DDR3L SDRAM系列。该芯片采用先进的78-Pin FBGA(8x10.5mm)封装,设计用于提供高效的存储解决方案,主要在需要高性能和低功耗的应用场景中发挥作用。作为一种易失性存储器,该原件在断电后会失去存储的数据,适合用于快速数据存储和临时数据处理的环境。

存储特性:

MT41K256M8DA-125:K的存储容量为2Gb(256M x 8),其设计旨在满足现代电子设备对快速访问和高带宽需求的要求。通过并行接口,用户可以有效地实现数据的快速读写。这款芯片的时钟频率高达800MHz,提供了出色的内存带宽,使得多任务处理和数据密集型应用成为可能。

电源需求与工作温度:

该DRAM芯片的电压供电范围为1.283V至1.45V,在运作中表现出良好的电源效率,特别是相较于传统DDR3存储器,DDR3L设计的低电压特性大大降低了功耗,非常适合便携式设备和对电池续航有高要求的应用。此外,其工作温度范围为0°C至95°C,这使得该芯片可以在各种环境条件下稳定工作,涵盖了从普通消费电子产品到工业设备的广泛应用。

访问时间与性能特点:

MT41K256M8DA-125:K的访问时间为13.75ns,保证了在高频率操作下的快速响应,为系统整体性能提供了有力支持。高速访问时间与高频工作相结合,使得该存储器特别适用于需要快速数据读写的场合,例如图形处理、游戏设备以及高性能计算机系统的内存扩展。

应用领域:

该型号的DRAM芯片在市场上具有广泛的应用前景。例如:

  1. 移动设备:如智能手机、平板电脑等,尤其是在对低功耗和轻便性有严格要求的设备中。
  2. 个人电脑:作为主板上的RAM模块,支持多任务和快速处理能力。
  3. 游戏设备:提供快速响应和可ol速流畅的游戏体验。
  4. 工业控制系统:在需要高温工作环境下的可靠存储解决方案。
  5. 嵌入式系统:如物联网设备、清洁能源设备等,为实时数据处理提供支持。

总结:

MT41K256M8DA-125:K是一款具有优良性能、低功耗特性的DDR3L SDRAM存储器,凭借其高达800MHz的工作频率、2Gb的存储容量以及宽广的工作温度范围,使其在现代电子系统中表现出色。镁光的这一产品不仅满足了高速数据处理的需求,同时也在功耗方面进行了优化,适合各种应用场景,是开发者和工程师值得信赖的存储方案。无论是用于便携式设备、个人电脑还是工业控制,MT41K256M8DA-125:K都能够提供稳定可靠的支持,是现代电子产品的重要组成部分。