存储器类型 | 易失 | 存储器格式 | DRAM |
技术 | SDRAM - DDR3L | 存储容量 | 2Gb (256M x 8) |
存储器接口 | 并联 | 时钟频率 | 800MHz |
访问时间 | 13.75ns | 电压 - 供电 | 1.283V ~ 1.45V |
工作温度 | 0°C ~ 95°C(TC) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 78-TFBGA | 供应商器件封装 | 78-FBGA(8x10.5) |
基本信息与概述:
MT41K256M8DA-125:K是由镁光(Micron)公司生产的一款低功耗动态随机存取存储器(DRAM)芯片,属于DDR3L SDRAM系列。该芯片采用先进的78-Pin FBGA(8x10.5mm)封装,设计用于提供高效的存储解决方案,主要在需要高性能和低功耗的应用场景中发挥作用。作为一种易失性存储器,该原件在断电后会失去存储的数据,适合用于快速数据存储和临时数据处理的环境。
存储特性:
MT41K256M8DA-125:K的存储容量为2Gb(256M x 8),其设计旨在满足现代电子设备对快速访问和高带宽需求的要求。通过并行接口,用户可以有效地实现数据的快速读写。这款芯片的时钟频率高达800MHz,提供了出色的内存带宽,使得多任务处理和数据密集型应用成为可能。
电源需求与工作温度:
该DRAM芯片的电压供电范围为1.283V至1.45V,在运作中表现出良好的电源效率,特别是相较于传统DDR3存储器,DDR3L设计的低电压特性大大降低了功耗,非常适合便携式设备和对电池续航有高要求的应用。此外,其工作温度范围为0°C至95°C,这使得该芯片可以在各种环境条件下稳定工作,涵盖了从普通消费电子产品到工业设备的广泛应用。
访问时间与性能特点:
MT41K256M8DA-125:K的访问时间为13.75ns,保证了在高频率操作下的快速响应,为系统整体性能提供了有力支持。高速访问时间与高频工作相结合,使得该存储器特别适用于需要快速数据读写的场合,例如图形处理、游戏设备以及高性能计算机系统的内存扩展。
应用领域:
该型号的DRAM芯片在市场上具有广泛的应用前景。例如:
总结:
MT41K256M8DA-125:K是一款具有优良性能、低功耗特性的DDR3L SDRAM存储器,凭借其高达800MHz的工作频率、2Gb的存储容量以及宽广的工作温度范围,使其在现代电子系统中表现出色。镁光的这一产品不仅满足了高速数据处理的需求,同时也在功耗方面进行了优化,适合各种应用场景,是开发者和工程师值得信赖的存储方案。无论是用于便携式设备、个人电脑还是工业控制,MT41K256M8DA-125:K都能够提供稳定可靠的支持,是现代电子产品的重要组成部分。