MT40A2G8SA-062E IT:F 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

MT40A2G8SA-062E IT:F

商品编码: BM0221323305
品牌 : 
micron(镁光)
封装 : 
FBGA-78
包装 : 
-
重量 : 
-
描述 : 
动态随机存取存储器 DDR4 16G 2GX8 FBGA IT
库存 :
20(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
43.68
按整 :
卷(1卷有2000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥43.68
--
100+
¥43.26
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

MT40A2G8SA-062E IT:F参数

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MT40A2G8SA-062E IT:F手册

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MT40A2G8SA-062E IT:F概述

产品概述:MT40A2G8SA-062E IT:F

一、产品简介

MT40A2G8SA-062E IT:F 是一款由知名半导体制造商镁光(Micron)生产的动态随机存取存储器(DRAM),属于DDR4系列,具有16Gbit的存储容量,采用2GX8的配置。该产品采用FBGA-78封装,这是目前先进的封装技术之一,旨在提供更高的性能与密度。DDR4技术在数据传输速度和功耗方面相较于前一代DDR3技术有显著提升,广泛应用于各种电子设备中,如服务器、个人电脑和移动设备。

二、技术特点

  1. 高存储容量:该模组提供16Gbit的存储容量,为数据密集型应用提供了充足的内存支持,满足现代应用对内存的苛刻需求。其2G x 8位的组织结构使得该存储器可以灵活应用于多种系统设计中。

  2. 出色的性能:MT40A2G8SA-062E IT:F支持DDR4的多项性能优化技术,包括高达3200 MT/s的传输速率,显著提高系统的内存带宽。相较于DDR3,DDR4的读取和写入速度都有了明显的提升,大幅提升了整体系统性能,尤其是在要求大容量高速缓存的场景下,如高性能计算和游戏应用。

  3. 节能设计:该模块工作的电压为1.2V,相比于DDR3所需的1.5V,DDR4技术实现了更低的功耗,能够有效降低发热量,从而提升系统的稳定性与运行效率。这一特性尤其适用于移动设备和便携式计算机,延长了电池的使用寿命。

  4. 可靠性与稳定性:镁光作为全球领先的内存和存储解决方案提供商,其产品经过严格的性能测试与质量控制,保证其在不同工作环境下的高稳定性与可靠性。该存储器还支持ECC(错误校正码)功能,可以提高数据的完整性和系统的可靠性,广泛适用于金融、医疗等对数据可靠性要求较高的应用场合。

三、应用场景

MT40A2G8SA-062E IT:F DDR4内存芯片适用于多种市场需求,包括但不限于:

  1. 数据中心与服务器:由于其高带宽和低功耗的特点,MT40A2G8SA-062E特别适合用于云计算和大数据分析等高性能计算环境。

  2. 个人计算机:在高端游戏PC和工作站中,该内存模块能够满足强大的图形处理和多任务处理需求,为用户提供流畅的使用体验。

  3. 嵌入式系统:在消费电子产品中,如智能手机、平板电脑和智能家居设备中,该存储器可以有效提升设备的处理速度和响应能力。

  4. 网络设备:随着5G技术的迅速发展,网络设备对高速内存的需求日益增加,MT40A2G8SA-062E适合用于各类网络设备,支持更高速的数据传输与处理。

四、总结

总之,MT40A2G8SA-062E IT:F DDR4 16G 2GX8 FBGA内存模块凭借其高效的性能、低功耗、出色的可靠性和广泛的应用领域,成为现代电子设备中不可或缺的关键组件。镁光的创新设计和制造工艺使得这款模块不仅能够满足当前市场的严格要求,而且在技术前沿保持竞争力,为用户提供卓越的价值和使用体验。随着技术的不断进步,MT40A2G8SA-062E在未来的应用场景中必将继续发挥其重要作用。