MT41K512M8DA-107 IT:P 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

MT41K512M8DA-107 IT:P

商品编码: BM0221323240
品牌 : 
micron(镁光)
封装 : 
78-FBGA(8x10.5)
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 512Mx8 1.35V 78-Pin FBGA Tray
库存 :
18(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
10.92
按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥10.92
--
100+
¥10.92
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

MT41K512M8DA-107 IT:P参数

存储器类型易失存储器格式DRAM
技术SDRAM - DDR3L存储容量4Gb (512M x 8)
存储器接口并联时钟频率933MHz
访问时间20ns电压 - 供电1.283V ~ 1.45V
工作温度-40°C ~ 95°C(TC)安装类型表面贴装型
封装/外壳78-TFBGA供应商器件封装78-FBGA(8x10.5)

MT41K512M8DA-107 IT:P手册

MT41K512M8DA-107 IT:P概述

产品概述:MT41K512M8DA-107 IT:P

一、产品简介

MT41K512M8DA-107 IT:P 是一款高性能的DDR3L SDRAM内存芯片,属于镁光(Micron)推出的存储器系列。这款芯片采用了78引脚的FBGA封装,适用于对高密度与低功耗有特殊要求的各种电子设备。它的存储容量高达4Gb(512M x 8),为用户提供了丰富的存储解决方案,广泛应用于移动设备、计算机、网络设备等多个领域。

二、技术规格

  • 存储器类型: 易失性存储器(Volatile Memory),意味着数据在断电时会丢失。
  • 存储器格式: DDR3L(Double Data Rate 3 Low Voltage Synchronous Dynamic RAM),在提供高带宽的同时,能有效降低功耗。
  • 存储容量: 4Gb(即512M x 8位),可为中高性能应用提供足够的内存空间。
  • 存储器接口: 并行接口设计,通过高效的读写方式能有效提升性能。
  • 时钟频率: 933MHz,支持高速的数据传输,为用户带来良好的响应体验。
  • 访问时间: 20纳秒(ns),确保在高速数据处理中的低延迟。
  • 供电电压范围: 1.283V至1.45V,支持低电压操作以满足能效需求。
  • 工作温度范围: -40°C至95°C,适应多种工作环境,保障在恶劣条件下的稳定性。
  • 安装类型: 表面贴装型(SMD),适合自动化生产线快速组装。
  • 封装形式: 78-TFBGA(Thin Fine Ball Grid Array),具有较小的尺寸和较高的引脚密度,适合高密度电路板设计。

三、产品应用

MT41K512M8DA-107 IT:P广泛应用于多个领域:

  1. 移动设备: 由于其低功耗特性,该芯片在智能手机、平板电脑等移动设备中非常受欢迎,能够有效延长电池寿命。
  2. 计算机: 在笔记本电脑和台式机中,DDR3L的高带宽特性能够提升系统的整体性能,尤其是在运行内存密集型应用时。
  3. 网络设备: 随着网络数据流量的迅速增长,路由器、交换机和其他网络设备需要可靠且高速的内存解决方案来处理数据流。
  4. 工业应用: 具备宽广的工作温度范围,适合在恶劣环境中使用,如工厂自动化控制系统、医疗设备等。

四、产品优点

  1. 高性能: 933MHz的时钟频率和低访问时间使得MT41K512M8DA-107 IT:P能够处理高速数据流,满足高性能应用的需求。
  2. 低功耗: 作为DDR3L存储器,其低电压设计有助于降低整体的功耗,尤其适用于对能效要求高的移动设备。
  3. 耐环境性强: -40°C至95°C的工作温度范围使得该芯片在各种环境下均能稳定工作,扩展了其应用场景。
  4. 高密度封装: 78-FBGA封装形式能够实现更高的集成度,为电子设备提供更多的设计灵活性。

五、总结

MT41K512M8DA-107 IT:P芯片凭借其卓越的性能、先进的技术规格以及广泛的应用潜力,是现代电子设备中不可或缺的存储解决方案。无论是在移动设备、计算机还是工业控制领域,它都表现出了出色的性能和值得信赖的稳定性,为用户提供了优质的使用体验。随着技术的发展和应用范围的不断扩大,MT41K512M8DA-107 IT:P将继续为推动各类设备的创新和进步做出贡献。