功率(Pd) | 1.3W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 120pF@10V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 39mΩ@1.8V,3.0A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 8.1nC@4.5V |
漏源电压(Vdss) | 20V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 980pF@10V | 连续漏极电流(Id) | 7A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
YJL3416A是一款高性能N沟道MOSFET,封装采用SOT-23(TO-236),其卓越的电气特性和优良的热管理能力,使其在众多电子应用中表现出色。该器件具有最高额定电压为20V,最大连续漏电流可达7A以及功耗能力为1.3W,因而非常适合用于小功率开关电源、LED驱动、电机控制以及其他需要高效电子开关的应用场合。
高开关效率:YJL3416A的低导通电阻特性使得它在工作时能够降低功耗,提升整体电路的效率,尤其适用于高频开关应用。
优良的散热性能:SOT-23封装不仅小巧紧凑,而且能有效散热。在一定的电流和功耗下,能够保持较低的工作温度,有助于延长产品的使用寿命。
宽广的适应性:YJL3416A在广泛的温度范围和电压条件下均能稳定工作,适用于各种严酷环境,例如汽车电子、工业设备及消费电子等领域。
易于驱动:此MOSFET的栅极驱动电压要求较低,使其可以由单片机、数字逻辑电平或其他控制器直接驱动,这为电路设计带来便捷。
YJL3416A由于其优越的电气特性,广泛适用于以下领域:
在使用YJL3416A时,需要注意以下几点:
YJL3416A N沟道MOSFET凭借出色的电气性能和高效的热管理能力,是现代电子设计中一个不可或缺的元件。其在多个应用领域的适用性和可靠性,使其成为工程师设计电路的理想选择。在未来的电子科技发展中,YJL3416A将继续发挥重要作用,助力更多创新的电子产品上线。