功率(Pd) | 350mW | 反向传输电容(Crss@Vds) | 5pF@50V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 5.5Ω@4.5V,175mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 2.5nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 100V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 14pF@50V | 连续漏极电流(Id) | 200mA |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
BSS123是一款高效的N沟道场效应管(MOSFET),其设计目标是用于低电压和小功率应用领域。作为一个典型的SOT-23封装的MOSFET,BSS123广泛应用于开关电源、电机驱动、数字电路和信号处理等场合,以其优越的电气性能和紧凑的体积,满足当今电子行业对小型化和高效能的需求。
功率:350mW
BSS123在最大功率输出下能够安全稳定地运行,适用于多种低功耗应用场合。
额定电压:100V
该管子具有较高的抗压能力,能够在高电压环境中正常工作,使其在诸如电源转换、逆变器等应用中的使用更加安全。
最大漏电流:200mA
BSS123的漏电流特性满足大多数小型信号处理的需求,适合流量不大的电路设计。
封装:SOT-23 (TO-236)
该器件使用SOT-23-3封装,具有良好的热管理性能,通过小巧的封装适应高密度PCB设计。
MOSFET是一种以电场效应控制电流流动的器件。BSS123作为一个N沟道MOSFET,其源极(S)连接到负极(地),漏极(D)连接到负载,栅极(G)用于控制导通。通过对栅极施加正向电压,使得源极和漏极之间形成导通通道,从而让电流按照预计的方向流动。在没有施加栅极电压的情况下,器件处于关闭状态,从而防止电流通过。
BSS123具有广泛的应用场景,主要包括但不限于:
开关电源:利用其较高的导通性能,BSS123可作为开关电源中的开关元件,提升转换效率并减少功耗。
数字电路:由于其快速的开关特性,该MOSFET非常适合用在逻辑电平转换及驱动电路中。
电机驱动:BSS123可用于低功耗电机控制电路,提供高效的开关性能。
信号处理:其响应时间快、输入阻抗高且功耗低非常适合在信号调理、放大及选择电路中使用。
BSS123是一款通过合理的设计与高效的制造工艺而成的高性能N沟道MOSFET,适合用于多种现代电子设备。凭借其小巧的封装、高效的电气特性和可靠的工作性能,BSS123不仅能够满足当前各类应用的需求,同时也为二次开发提供了良好的基础。对于设计师而言,选择BSS123作为电子设计中的开关元件,有助于推动项目的成功并提高整体系统的可靠性与效率。