BSS123 产品实物图片
BSS123 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BSS123

商品编码: BM0221188039
品牌 : 
YANGJIE(扬杰)
封装 : 
SOT-23-3
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 350mW 100V 200mA 1个N沟道 SOT-23(TO-236)
库存 :
1168(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
0.0636
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.0636
--
200+
¥0.063
--
1500+
¥0.0624
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

BSS123参数

功率(Pd)350mW反向传输电容(Crss@Vds)5pF@50V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)5.5Ω@4.5V,175mA
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)2.5nC@10V
漏源电压(Vdss)100V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)14pF@50V连续漏极电流(Id)200mA
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA

BSS123手册

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BSS123概述

BSS123 产品概述

一、产品简介

BSS123是一款高效的N沟道场效应管(MOSFET),其设计目标是用于低电压和小功率应用领域。作为一个典型的SOT-23封装的MOSFET,BSS123广泛应用于开关电源、电机驱动、数字电路和信号处理等场合,以其优越的电气性能和紧凑的体积,满足当今电子行业对小型化和高效能的需求。

二、关键参数

  1. 功率:350mW
    BSS123在最大功率输出下能够安全稳定地运行,适用于多种低功耗应用场合。

  2. 额定电压:100V
    该管子具有较高的抗压能力,能够在高电压环境中正常工作,使其在诸如电源转换、逆变器等应用中的使用更加安全。

  3. 最大漏电流:200mA
    BSS123的漏电流特性满足大多数小型信号处理的需求,适合流量不大的电路设计。

  4. 封装:SOT-23 (TO-236)
    该器件使用SOT-23-3封装,具有良好的热管理性能,通过小巧的封装适应高密度PCB设计。

三、工作原理

MOSFET是一种以电场效应控制电流流动的器件。BSS123作为一个N沟道MOSFET,其源极(S)连接到负极(地),漏极(D)连接到负载,栅极(G)用于控制导通。通过对栅极施加正向电压,使得源极和漏极之间形成导通通道,从而让电流按照预计的方向流动。在没有施加栅极电压的情况下,器件处于关闭状态,从而防止电流通过。

四、应用领域

BSS123具有广泛的应用场景,主要包括但不限于:

  1. 开关电源:利用其较高的导通性能,BSS123可作为开关电源中的开关元件,提升转换效率并减少功耗。

  2. 数字电路:由于其快速的开关特性,该MOSFET非常适合用在逻辑电平转换及驱动电路中。

  3. 电机驱动:BSS123可用于低功耗电机控制电路,提供高效的开关性能。

  4. 信号处理:其响应时间快、输入阻抗高且功耗低非常适合在信号调理、放大及选择电路中使用。

五、优点与特点

  • 高效性能:BSS123保证了低导通阻抗,能够显著降低功耗,同时提供高效的开关性能。
  • 小型化封装:SOT-23封装使得BSS123非常适合高密度线路板设计,便于在空间有限的应用中使用。
  • 高工作电压:可以承受高达100V的电压,使其在各种应用中提供了更大的灵活性与安全性。
  • 广泛兼容性:能与多种控制电路,尤其是逻辑电平兼容,进一步扩大应用范围。

六、结论

BSS123是一款通过合理的设计与高效的制造工艺而成的高性能N沟道MOSFET,适合用于多种现代电子设备。凭借其小巧的封装、高效的电气特性和可靠的工作性能,BSS123不仅能够满足当前各类应用的需求,同时也为二次开发提供了良好的基础。对于设计师而言,选择BSS123作为电子设计中的开关元件,有助于推动项目的成功并提高整体系统的可靠性与效率。