制造商 | Infineon Technologies | 系列 | OptiMOS™ |
包装 | 卷带(TR) | 零件状态 | Digi-Key 停产 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 13 毫欧 @ 30A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 80µA |
Vgs(最大值) | ±20V | 功率耗散(最大值) | 136W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | PG-TO252-3 | 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
漏源电压(Vdss) | 55V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 69nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1800pF @ 25V |
IPD30N06S2L-13 是由著名半导体制造商 Infineon Technologies(英飞凌)推出的一款高性能 N 通道 MOSFET,旨在为各种电子应用提供可靠性和高效能。此MOSFET属于OptiMOS™系列,特别设计用于满足现代电子设备对高电流和低电阻的需求,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、马达驱动以及各种高功率应用中。
封装和尺寸:
电气特性:
工作温度范围:
输入/输出特性:
可靠性和耐压能力:
总的来说,IPD30N06S2L-13是一款性能卓越的N通道MOSFET,凭借其高电流承载能力、低导通电阻和广泛的工作温度范围,能够满足现代电子设备日益增长的需求。无论是在电源管理、马达控制还是其他高功率及高电效应用中,该MOSFET均能发挥其独特的性能优势。 通过合理的电路设计与模块应用,使用IPD30N06S2L-13能够极大地提升系统的整体效率及稳定性,是工程师们在选择高性能电子元器件时值得考虑的优质选择。