YJL03N06A 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

YJL03N06A

商品编码: BM0221181909
品牌 : 
YANGJIE(扬杰)
封装 : 
SOT-523(SC-75)
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.2W 60V 3A 1个N沟道 SOT-23(TO-236)
库存 :
4063(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.158
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.158
--
200+
¥0.157
--
1500+
¥0.156
--
3000+
¥0.155
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

YJL03N06A参数

功率(Pd)1.2W反向传输电容(Crss@Vds)17pF@30V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)86mΩ@10V,3A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)5.1nC@10V
漏源电压(Vdss)60V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)330pF@30V连续漏极电流(Id)3A
阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA

YJL03N06A手册

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YJL03N06A概述

YJL03N06A 产品概述

产品简介

YJL03N06A 是一款先进的 N 沟道场效应管(MOSFET),由知名品牌 YANGJIE(扬杰)生产。这款 MOSFET 在设计中采用了高效能的半导体材料,旨在满足广泛的电子应用需求。该产品的额定功率为 1.2W,工作电压高达 60V,最大电流可达 3A,使其在功率管理和开关电源等领域表现出色。此外,该器件采用 SOT-23 封装(TO-236),具有小型化的优势,非常适合需要节省空间的电子设计。

技术参数

  • 器件类型:N 沟道 MOSFET
  • 封装形式:SOT-23-3L
  • 最大漏极源极电压(Vds):60V
  • 最大漏极电流(Id):3A
  • 最大功耗(Pd):1.2W
  • 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  • 通道电阻(Rds(on)):通常在低电压下,具有极低的导通电阻,为发热提供了更好的热管理。
  • 栅源阈值电压(Vgs(th)):通常在典型值范围内,有助于在低电压下实现良好的控制。

应用领域

YJL03N06A 的应用范围非常广泛,主要包括:

  1. 开关电源:由于其高电流和电压处理能力,该 MOSFET 非常适合各种开关电源(SMPS)设计。它已经成为许多 DC-DC 转换器和 AC-DC 适配器的首选器件。

  2. 电机驱动:在电动机控制和驱动电路中,此器件通过高效开关功能实现精确的电机驱动,以减少功率损失并提高效率。

  3. 负载开关:通过提供高效、低阻抗的导通路径,YJL03N06A 可以作为负载开关使用,特别是在便携式和消费电子产品中,用于控制照明、显示屏或其他高功率负载。

  4. 音频放大器:该 MOSFET 能够满足高保真音频放大器的需求,通过低失真、宽频带响应来支持高质量音频信号的处理。

  5. LED 驱动:凭借其优异的开关性能,YJL03N06A 也适合用于 LED 驱动电路中,可实现高效能且长寿命的照明解决方案。

设计考虑

在使用 YJL03N06A 时,设计师需要考虑以下几个方面:

  • 散热管理:尽管该 MOSFET 的功耗为 1.2W,但在实际应用中,适当的散热措施是保障其性能和可靠性的关键。使用散热器或设计良好的 PCB 热管理可以有效降低温度,从而提高器件的使用寿命。

  • 驱动电路选择:在驱动该 MOSFET 的栅极时,需确保使用适当的电压和幅度,以充分打开 MOSFET,减少导通损耗。建议使用高效的栅极驱动电路来提高开关频率和效率。

  • 电帧设计:在设计 PCB 时,应关注器件的布局以及与其他元件的信号干扰,以确保电路的整体稳定性和可靠性。

整体优势

选择 YJL03N06A 的优势在于其高效能与小型化的结合,这使其成为现代电子产品设计中的理想选择。无论在功率转换、电机控制还是负载开关应用中,该产品均能提供出色的性能和可靠性,适应各种苛刻的工作环境。

结论

总之,YJL03N06A 是一款卓越的 N 沟道 MOSFET,以其优良的电气特性和广泛的应用适用性,成为了许多电子设计工程师的首选产品。正是这些特性使其在当前竞争激烈的市场中脱颖而出,为各种创新应用提供了强劲的支持。