BSS84 产品实物图片
BSS84 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BSS84

商品编码: BM0221161818
品牌 : 
CBI(创基)
封装 : 
SOT-23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 225mW 50V 130mA 1个P沟道 SOT-23
库存 :
2595(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.03816
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.03816
--
200+
¥0.0378
--
1500+
¥0.03744
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

BSS84参数

功率(Pd)225mW反向传输电容(Crss@Vds)5pF
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)8Ω@10V,0.1A
工作温度-55℃~+150℃漏源电压(Vdss)50V
类型1个P沟道输入电容(Ciss@Vds)30pF
连续漏极电流(Id)130mA阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@0.1A

BSS84手册

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BSS84概述

BSS84 产品概述

1. 引言

BSS84是一款高性能的P沟道场效应管 (MOSFET),广泛应用于电子电路中,以其良好的电气特性和可靠性受到电子工程师的青睐。本文将详细介绍BSS84的基本特性、应用领域以及选型注意事项,帮助设计工程师更好地理解和应用这一元器件。

2. 产品基本信息

  • 型号:BSS84
  • 制造商:CBI (创基)
  • 封装类型:SOT-23
  • 功率(P):225 mW
  • 耐压(VDS):50 V
  • 漏电流(ID):130 mA

3. 结构与封装

BSS84采用SOT-23封装,这种小型封装具有体积小、引脚间距短等优势,适合于高密度的电路布线。SOT-23通常有三条引脚,其中两条为源极和漏极,另一条为栅极。通过合理的布局和设计,可以有效地减小PCB面积,降低生产成本。

4. 电气特性

  • 最大漏源电压 (VDS):BSS84最高承受50V的漏极-源极电压,适合于中等电压的开关和线性应用。
  • 最大漏电流 (ID):BSS84能够承受最高130mA的漏电流,在许多低功率应用中表现良好。
  • 功率损耗:其最大功率损耗为225mW,适合低功率驱动电路。
  • 门极阈值电压 (VGS(th)):BSS84的门极阈值电压通常在-0.8V至-2.5V之间,符合负压驱动需求,方便在低电压场合下使用。

5. 工作原理

MOSFET的基本工作原理是利用电场效应控制沟道的导通与关闭。对于P沟道MOSFET,当栅极电压低于源极电压时,设备导通;反之,当栅极电压高于源极电压时,设备关闭。其高输入阻抗使得它不容易受到输入信号的影响,从而减少功耗和延长电路的整体使用寿命。

6. 应用领域

BSS84广泛应用于各种电子电路,主要包括但不限于以下几个方面:

  • 开关电源:在开关电源中可用作开关元件,以控制电流的流动。
  • 信号放大:适用于小信号放大器和模拟电路中,提高信号强度。
  • 电机驱动:在小型电机控制中可作为驱动开关,控制电机的启停。
  • 电平转换:在多种电压等级的电路之间,BSS84可用来实现电平转换,以保证信号的完整性。
  • 负载控制:广泛应用于LED驱动、继电器驱动及其他负载的控制运用。

7. 选型注意事项

在选择BSS84时,设计工程师需考虑以下因素:

  • 工作电压和电流范围:根据实际电路需求,确保BSS84的使用不超过其规格限制。
  • 环境温度:高温环境下,MOSFET的性能可能下降,因此应考虑散热设计。
  • 开关频率:对于高频应用,确认BSS84的频率特性和关闭时间,以免影响电路性能。
  • PCB布局:由于高频信号下的电感与电容影响,合理的PCB布局对元器件的使用寿命和性能至关重要。

8. 结束语

BSS84是一款经济实用的P沟道MOSFET,凭借其优越的电气特性,适应多种电子系统的需求。无论是在工业控制、消费电子还是通信设备中,BSS84均能提供稳定可靠的性能。设计工程师在选型与应用过程中,应充分考虑其规格与应用场景,以确保电路在高效、可靠的状态下运行。随着电力电子技术的不断发展,BSS84的应用前景将更加广泛。