功率(Pd) | 225mW | 反向传输电容(Crss@Vds) | 5pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 8Ω@10V,0.1A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 漏源电压(Vdss) | 50V |
类型 | 1个P沟道 | 输入电容(Ciss@Vds) | 30pF |
连续漏极电流(Id) | 130mA | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@0.1A |
BSS84是一款高性能的P沟道场效应管 (MOSFET),广泛应用于电子电路中,以其良好的电气特性和可靠性受到电子工程师的青睐。本文将详细介绍BSS84的基本特性、应用领域以及选型注意事项,帮助设计工程师更好地理解和应用这一元器件。
BSS84采用SOT-23封装,这种小型封装具有体积小、引脚间距短等优势,适合于高密度的电路布线。SOT-23通常有三条引脚,其中两条为源极和漏极,另一条为栅极。通过合理的布局和设计,可以有效地减小PCB面积,降低生产成本。
MOSFET的基本工作原理是利用电场效应控制沟道的导通与关闭。对于P沟道MOSFET,当栅极电压低于源极电压时,设备导通;反之,当栅极电压高于源极电压时,设备关闭。其高输入阻抗使得它不容易受到输入信号的影响,从而减少功耗和延长电路的整体使用寿命。
BSS84广泛应用于各种电子电路,主要包括但不限于以下几个方面:
在选择BSS84时,设计工程师需考虑以下因素:
BSS84是一款经济实用的P沟道MOSFET,凭借其优越的电气特性,适应多种电子系统的需求。无论是在工业控制、消费电子还是通信设备中,BSS84均能提供稳定可靠的性能。设计工程师在选型与应用过程中,应充分考虑其规格与应用场景,以确保电路在高效、可靠的状态下运行。随着电力电子技术的不断发展,BSS84的应用前景将更加广泛。