SI4058DY-T1-GE3
SI4058DY-T1-GE3参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10.3A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 26 毫欧 @ 10A, 10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 18nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 690pF @ 50V |
| 功率耗散（最大值） | 5.6W (Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
SI4058DY-T1-GE3手册
SI4058DY-T1-GE3概述
产品概述：SI4058DY-T1-GE3
SI4058DY-T1-GE3是一款高性能的N通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由威世（VISHAY）公司生产。该MOSFET被设计用于高效的电源管理和开关应用，尤其适用于对体积、小型化和高效能有严格要求的现代电子设备。其主要的技术规范和应用特性使其成为多个行业中不可或缺的重要器件。
主要参数
漏源电压（Vdss）： SI4058DY-T1-GE3具备高达100V的漏源电压，这使其适用于多种电压范围的应用，从低电压到中等电压的电源管理方案，能够满足广泛的设计需求。
连续漏极电流（Id）： 该MOSFET在25°C的环境温度下，具有10.3A的连续漏极电流能力（Tc）。这表明在正常工作条件下，SI4058能够稳定输出高电流，适合用于负载电流较大的电路设计。
导通电阻（Rds(on)）： 在10V的栅极驱动电压下，其导通电阻最大值为26毫欧，这意味着它在导通状态下的功率损耗较低，能够有效提高能效并降低热量生成，适合用于高效能的电源转换与开关应用。
栅极阈值电压（Vgs(th)）： 该器件在250µA下的最大阈值电压为2.8V，确保在低栅极电压时也能有效控制导通，适应各种输入信号。
栅极电荷（Qg）： Si4058在10V下的栅极电荷最大值为18nC，这使得其在快速开关操作中具有较低的驱动功耗，适用于高频开关应用。
输入电容（Ciss）： 在50V下，输入电容最大值为690pF，为器件的高开关速度和稳定性提供了支持。
功率耗散（Pd）： SI4058的最大功率耗散可达5.6W（Tc），使其在高功率应用中表现出色，可承受较高的功率负载而不发生失效。
工作温度范围： 工作温度广泛，范围从-55°C到150°C，使该器件能够在极端环境条件下可靠工作，尤其适合航空航天、汽车和工业控制等要求严格的应用场合。
封装与安装
SI4058DY-T1-GE3采用8-SOIC封装，尺寸为0.154英寸（3.90mm宽），为表面贴装型设计。这种封装形式不仅节省了电路板的空间，同时也方便了自动化生产线的贴装，提高了生产效率。该小型封装形式非常适合于传统设计中对体积和重量有严格要求的便携式电子产品。
应用领域
由于其出色的电气性能和高度可靠性，SI4058DY-T1-GE3广泛应用于以下领域：
- 电源管理：如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器等解决方案中提供高效开关。
- 电池管理系统：用于高效充放电控制和热管理，增强电池循环使用寿命。
- 汽车电子：如电动汽车中的动力组件、充电装置及车载电源模块。
- 工业控制：用于高功率负载的开关控制，确保系统的高效运行。
结论
总的来说，SI4058DY-T1-GE3是一款具有高性能、高可靠性的MOSFET，适合对高效能与小型化有需求的各种应用场合。其优异的电气特性和广泛的工作温度范围，确保了其在各类电子设备中的重要地位，是现代电子设计中不可或缺的关键组件。通过采用该元器件，设计工程师可以实现更加高效、安全和可靠的电源管理解决方案。