驱动配置 | 半桥 | 通道类型 | 独立式 |
驱动器数 | 2 | 栅极类型 | N 沟道 MOSFET |
电压 - 供电 | 8V ~ 17V | 逻辑电压 - VIL,VIH | 1.3V,2.7V |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 4A,4A | 输入类型 | 非反相 |
高压侧电压 - 最大值(自举) | 120V | 上升/下降时间(典型值) | 7.2ns,5.5ns |
工作温度 | -40°C ~ 140°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商器件封装 | 8-SOIC |
UCC27211DR 是一款由德州仪器(TI)设计和制造的高性能栅极驱动芯片,专为高频和高效率的开关模式电源(SMPS)、电机驱动和源/负载转换等应用而设计。其较为精简而高效的驱动配置使其在需要快速开关和高电流驱动能力的场合表现出色。
UCC27211DR 采用半桥驱动配置,能够独立控制两个通道的 MOSFET,适用于多种系统架构。其驱动器数为 2,使得在多种电力转换应用中具有增强的灵活性和控制能力。该芯片支持使用 N 沟道 MOSFET,适合绝大多数现代电力电子应用。
在电源供电方面,UCC27211DR 的工作电压范围为 8V 至 17V,满足多种电力电子系统中的电源需求。在逻辑输入方面,VIL 和 VIH 分别为 1.3V 和 2.7V,确保该芯片能够在不同的逻辑电平下稳定工作。
UCC27211DR 具备 4A 的峰值输出电流(灌入和拉出),使其能够快速驱动高功率 MOSFET。其典型的上升时间仅为 7.2ns,而下降时间为 5.5ns,这些短响应时间确保了在高频操作时的高效率和低开关损耗。高频率下的快速转换能力对于现代电源设计至关重要,能够显著降低热效率损失,提高系统的整体性能。
UCC27211DR 具有较强的自举能力,能够在高压侧工作,提供最大 120V 的高压侧电压。这种特性使其适用于高电压应用场景,如高压电源转换和电动机控制,是现代电气系统中不可或缺的部分。
该驱动芯片的工作温度范围为 -40°C 至 140°C(TJ),使其能够在严苛的工业和汽车环境中稳定运行。这种宽广的工作温度范围确保了 UCC27211DR 尤其适合恶劣气候条件下的应用,如户外设施及机械设备,提供了更强的耐久性和可靠性。
UCC27211DR 采用 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)封装,支持表面贴装设计,适合自动化焊接和组装。由于该芯片的紧凑型封装设计,它在电路板设计中占用的空间较小,便于集成到各种电子产品中。
UCC27211DR 通常用于开关电源(SMPS)、固态继电器、功率逆变器及各种电动机驱动系统,广泛应用于汽车电子、家电、工业控制和可再生能源等领域。在电动汽车中,它可以用于电动机器的高效驱动以及能量管理系统中,提高整体能效。
总之,UCC27211DR 是一款功能强大、性能卓越的栅极驱动芯片,凭借其高电流输出、快速响应特性、优秀的高压能力和整合灵活性,成为了现代电力电子设计中不可或缺的重要元器件。无论是在汽车、工业控制,还是在消费市场中,UCC27211DR 都能为工程师提供便利、高效和高性能的解决方案。