SI2309CDS-T1-MS 产品实物图片
SI2309CDS-T1-MS 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

SI2309CDS-T1-MS

商品编码: BM0221025186
品牌 : 
MSKSEMI(美森科)
封装 : 
SOT-23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
-
库存 :
215(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.262
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.262
--
200+
¥0.17
--
1500+
¥0.147
--
3000+
¥0.13
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

SI2309CDS-T1-MS参数

功率(Pd)1.5W反向传输电容(Crss@Vds)17.9pF
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)200mΩ@4.5V
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)11.3nC@30V
漏源电压(Vdss)60V类型1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)444.2pF@30V连续漏极电流(Id)2A
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.6V@250uA

SI2309CDS-T1-MS手册

SI2309CDS-T1-MS概述

SI2309CDS-T1-MS 是一款由 MSKSEMI(美森科)生产的功率 MOSFET(场效应晶体管),它采用了 SOT-23 封装,是一款小型化、高效能的电子元器件。以下是对于该产品的详细概述,包括其主要特性、应用场景及其优势。

1. 主要特性

  • 器件类型:SI2309CDS-T1-MS 是 N 沟道 MOSFET,这意味着它可以在高电压条件下提供优异的导电性和开关性能。
  • 额定电压和电流:该 MOSFET 的最大漏极到源极的电压(Vds)通常在 30V 左右,最大漏极电流(Id)可达到 3.7A。这使其能够满足各种中等功率电子电路的需求。
  • 低导通电阻:SI2309CDS-T1-MS 提供较低的 Rds(on) 值,通常在 20mΩ 左右,这意味着在开通状态下,能量损耗较低,温升较小,适合高效能电源管理。
  • 开关速度:本器件具有较快的开关速度,使其能够快速响应控制信号,提高整个电路的工作效率。
  • 温度范围:该产品通常能够工作在-55℃ 到 +150℃ 的广泛温度范围内,适合不同应用环境下的需求。

2. 封装信息

SI2309CDS-T1-MS 采用 SOT-23 封装,这种小型封装有助于节约 PCB (印刷电路板)空间,并且便于自动化生产。SOT-23 封装的体积小、散热性能好,使得其在低功耗便携式设备以及需要高集成度的应用中尤为适用。

3. 应用场景

SI2309CDS-T1-MS MOSFET 在多个领域内具有广泛的应用,例如:

  • 电源管理:在开关电源、DC-DC 转换器、适配器及充电器中,用于提高转换效率和降低热损耗。
  • 电机驱动:能在电动工具、电动车和其他电机控制应用中作为开关元件,控制电机的启停及速度。
  • 信号切换:适用于信号开关和选择电路,能够快速而可靠地开关信号通路。
  • LED 驱动:在 LED 照明、背光灯及显示器应用中,作为驱动元件提供高效的电源管理。

4. 优势与竞争力

选用 SI2309CDS-T1-MS 的优势包括:

  • 高效能:拥有低 Rds(on) 和快速的开关速度,使其在电能转换和管理中更为高效,降低整体系统的功耗。
  • 集成度高:小型 SOT-23 封装节省空间,有助于设计更紧凑的电路。
  • 温度适应性强:能够在不同温度下稳定工作,适合各种环境,特别是高温应用。
  • 可靠性强:美森科作为知名品牌,其产品经过严格的质量控制,提供更高的可靠性和长期使用寿命。

5. 总结

SI2309CDS-T1-MS 是一款功能强大、效率高、应用广泛的 N 沟道 MOSFET。凭借其优越的电性能和小巧的封装设计,在多个电子行业内能够满足多样化的需求。其在功率管理及驱动控制等场景中表现优秀,是设计师和工程师在选择合适元件时的一致选择。无论是工业应用还是消费类电子,SI2309CDS-T1-MS 都是值得信赖的解决方案。