功率(Pd) | 1.5W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 17.9pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 200mΩ@4.5V |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 11.3nC@30V |
漏源电压(Vdss) | 60V | 类型 | 1个P沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 444.2pF@30V | 连续漏极电流(Id) | 2A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.6V@250uA |
SI2309CDS-T1-MS 是一款由 MSKSEMI(美森科)生产的功率 MOSFET(场效应晶体管),它采用了 SOT-23 封装,是一款小型化、高效能的电子元器件。以下是对于该产品的详细概述,包括其主要特性、应用场景及其优势。
SI2309CDS-T1-MS 采用 SOT-23 封装,这种小型封装有助于节约 PCB (印刷电路板)空间,并且便于自动化生产。SOT-23 封装的体积小、散热性能好,使得其在低功耗便携式设备以及需要高集成度的应用中尤为适用。
SI2309CDS-T1-MS MOSFET 在多个领域内具有广泛的应用,例如:
选用 SI2309CDS-T1-MS 的优势包括:
SI2309CDS-T1-MS 是一款功能强大、效率高、应用广泛的 N 沟道 MOSFET。凭借其优越的电性能和小巧的封装设计,在多个电子行业内能够满足多样化的需求。其在功率管理及驱动控制等场景中表现优秀,是设计师和工程师在选择合适元件时的一致选择。无论是工业应用还是消费类电子,SI2309CDS-T1-MS 都是值得信赖的解决方案。