K4F6E3S4HM-MGCJ 产品实物图片
K4F6E3S4HM-MGCJ 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

K4F6E3S4HM-MGCJ

商品编码: BM0221016260
品牌 : 
SAMSUNG(三星)
封装 : 
FBGA-200
包装 : 
托盘
重量 : 
-
描述 : 
动态随机存取存储器(DRAM) K4F6E3S4HM-MGCJ FBGA-200
库存 :
8(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
42
按整 :
托盘(1托盘有128个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥42
--
10+
¥40
--
1280+
产品参数
产品手册
产品概述

K4F6E3S4HM-MGCJ参数

商品分类DDR SDRAM存储器构架(格式)SDRAM SLPDDR4
存储容量16Gbit工作温度-25℃~+85℃
工作电压1.7V~1.9V时钟频率(fc)1.867GHz

K4F6E3S4HM-MGCJ手册

K4F6E3S4HM-MGCJ概述

产品概述:K4F6E3S4HM-MGCJ DRAM

K4F6E3S4HM-MGCJ是一款由三星(SAMSUNG)生产的动态随机存取存储器(DRAM),采用FBGA-200封装。它是高性能存储解决方案之一,广泛应用于消费电子、通信设备以及计算机系统等多个领域。以下将详细介绍其主要特点、技术规格、应用场景及优势。

1. 产品特点

  • 高容量: K4F6E3S4HM-MGCJ在容量上表现出色,可提供高达6 Gb的存储能力,能够支持大量数据的快速读取和写入操作,满足现代电子设备对存储的需求。

  • 速度优势: 此款DRAM采用高级技术,能够以频率高达1600 MHz运行,这意味着更快的数据传输速率,在高负载下能够提供稳定的性能,适用于重型数据处理应用。

  • 小型化设计: FBGA-200封装的设计使得该DRAM具有更小的体积和更低的占用面积,便于集成到空间受限的电子产品中,尤其是移动设备和嵌入式系统。

2. 技术规格

  • 封装形式: FBGA-200(薄型球栅阵列,200个焊球),这使得装配过程更加高效,并且可以提高散热性能。

  • 接口类型: K4F6E3S4HM-MGCJ支持DDR3接口,具有双倍数据速率(Double Data Rate)能力,提升数据传输效率。

  • 工作电压: 工作电压一般为1.5V,适合各类现代电子设备需求,同时也能降低功耗,延长电池寿命。

  • 刷新周期: 该DRAM支持多种刷新模式,以保证数据的持续性和有效性,在长时间不使用的情况下,依然能够保持数据完整性。

3. 应用场景

K4F6E3S4HM-MGCJ因其优良的性能,广泛应用于多个领域,包括:

  • 消费电子: 智能手机、平板电脑、笔记本电脑等移动设备中,常用于缓存和快速访问数据,提高用户体验。

  • 通信设备: 路由器、交换机和基站中,作为数据缓冲区,能够支持高带宽和快速的网络数据处理。

  • 计算机系统: 适用于PC内存模块中,提供高容量和高速度的存储解决方案,满足现代操作系统和应用程序对内存的高需求。

  • 嵌入式系统: 汽车电子、家电和工业控制系统等领域,能够在有限的空间内提供强大的数据处理能力。

4. 竞争优势

  • 技术领先: 作为全球领先的半导体制造商,三星具有强大的研发能力和生产工艺,K4F6E3S4HM-MGCJ在性能和可靠性方面具有竞争优势。

  • 高密度存储: 相较于传统的存储器,DRAM产品如K4F6E3S4HM-MGCJ提供更高的数据密度,能够在小型化设计中提供卓越的存储能力。

  • 节能特性: 在保证高性能的同时,该DRAM具有较低的功耗特性,适合对能效有高要求的应用场景,能够大幅度降低整体系统的能耗。

结论

K4F6E3S4HM-MGCJ动态随机存取存储器,是一款具有高容量、高速度和小型化特点的高性能内存产品。无论是在消费电子、通信设备还是计算机系统领域,它都能以卓越的性能支持现代数据处理的需求。作为三星的代表性产品之一,K4F6E3S4HM-MGCJ在处理速度、能效与体积设计上都具备明显的优势,为未来的电子设备发展提供了强有力的支持。选择K4F6E3S4HM-MGCJ,将为您的项目和产品带来可靠的性能保障和长久的市场竞争力。