商品分类 | DDR SDRAM | 存储器构架(格式) | SDRAM DDR3L |
存储容量 | 4Gbit | 工作温度 | -40℃~+95℃ |
工作电压 | 1.28V~1.45V | 时钟频率(fc) | 933MHz |
K4B4G1646E-BMMA 是由三星电子(SAMSUNG)生产的一款高性能动态随机存取存储器(DRAM),采用FBGA-96封装,具有出色的存储性能和可靠性。该DRAM主要设计用于高带宽要求的应用,如智能手机、平板电脑以及其他移动设备。它在数据访问速度、功耗和发热量等方面的优势,使其成为现代电子设备中的关键组件。
K4B4G1646E-BMMA属于DDR3(双倍速同步动态随机存取存储器)系列,其具体技术规格如下:
这种DRAM设计遵循JEDEC标准,以确保在不同品牌和型号之间的兼容性。FBGA封装不仅减小了产品的物理体积,还有效提升了信号的完整性和传输速度。
K4B4G1646E-BMMA DRAM的性能表现在多个方面:
K4B4G1646E-BMMA DRAM的设计满足了多个领域的需求:
与同类产品相比,K4B4G1646E-BMMA DRAM凭借其优异的性价比、强大的品牌影响力及可靠的供货能力占据了一席之地。三星作为全球领先的存储解决方案提供商,持续投入研发以创新产品,确保其在市场中的竞争力。
随着电子设备的普及与技术的不断进步,K4B4G1646E-BMMA动态随机存取存储器以其高效能、低功耗和广泛的应用前景,成为现代智能设备中的关键元器件。无论是在个人消费电子产品还是在工业应用领域,这款DRAM都在推动技术进步,提升用户体验的过程中发挥重要作用。选择K4B4G1646E-BMMA,不仅是选择了高性能和可靠性,更是选择了一种未来科技的保障。