K4B4G1646E-BMMA 产品实物图片
K4B4G1646E-BMMA 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

K4B4G1646E-BMMA

商品编码: BM0221009116
品牌 : 
SAMSUNG(三星)
封装 : 
FBGA-96
包装 : 
托盘
重量 : 
-
描述 : 
动态随机存取存储器(DRAM) K4B4G1646E-BMMA FBGA-96
库存 :
30(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
12.2
按整 :
托盘(1托盘有112个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥12.2
--
1120+
产品参数
产品手册
产品概述

K4B4G1646E-BMMA参数

商品分类DDR SDRAM存储器构架(格式)SDRAM DDR3L
存储容量4Gbit工作温度-40℃~+95℃
工作电压1.28V~1.45V时钟频率(fc)933MHz

K4B4G1646E-BMMA手册

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K4B4G1646E-BMMA概述

产品概述:K4B4G1646E-BMMA 动态随机存取存储器(DRAM)

1. 产品简介

K4B4G1646E-BMMA 是由三星电子(SAMSUNG)生产的一款高性能动态随机存取存储器(DRAM),采用FBGA-96封装,具有出色的存储性能和可靠性。该DRAM主要设计用于高带宽要求的应用,如智能手机、平板电脑以及其他移动设备。它在数据访问速度、功耗和发热量等方面的优势,使其成为现代电子设备中的关键组件。

2. 技术规格

K4B4G1646E-BMMA属于DDR3(双倍速同步动态随机存取存储器)系列,其具体技术规格如下:

  • 容量: 4GB(4096Mb)
  • 数据速率: 支持1600 MHz(DDR3-1600)
  • 接口类型: 64位数据宽度
  • 电源电压: 1.5V(可选1.35V低电压版本)
  • 封装类型: FBGA-96(球栅阵列封装)

这种DRAM设计遵循JEDEC标准,以确保在不同品牌和型号之间的兼容性。FBGA封装不仅减小了产品的物理体积,还有效提升了信号的完整性和传输速度。

3. 性能特点

K4B4G1646E-BMMA DRAM的性能表现在多个方面:

  • 高速访问: 在高频率下运行时的快速数据传输能力,使其适合需要快速响应的高性能系统。
  • 低功耗: 存储器在工作时的低电压设计,有助于延长移动设备的电池使用寿命。
  • 稳定性与可靠性: 采用三星先进的制造工艺,K4B4G1646E-BMMA确保在长时间使用期间保持稳定的性能表现,适合多种应用场景。

4. 应用场景

K4B4G1646E-BMMA DRAM的设计满足了多个领域的需求:

  • 智能手机与平板电脑: 由于其高数据传输速率和低功耗特性,这款DRAM是移动设备的理想选择,帮助提升多任务处理能力和开机速度。
  • 笔记本电脑: 在轻薄型笔记本中应用,利用其小型化的封装设计,满足各种日常办公和娱乐需求。
  • 嵌入式系统: 适用于智能家电、工业控制设备等需要快速数据处理和响应的场合。

5. 竞争优势

与同类产品相比,K4B4G1646E-BMMA DRAM凭借其优异的性价比、强大的品牌影响力及可靠的供货能力占据了一席之地。三星作为全球领先的存储解决方案提供商,持续投入研发以创新产品,确保其在市场中的竞争力。

6. 总结

随着电子设备的普及与技术的不断进步,K4B4G1646E-BMMA动态随机存取存储器以其高效能、低功耗和广泛的应用前景,成为现代智能设备中的关键元器件。无论是在个人消费电子产品还是在工业应用领域,这款DRAM都在推动技术进步,提升用户体验的过程中发挥重要作用。选择K4B4G1646E-BMMA,不仅是选择了高性能和可靠性,更是选择了一种未来科技的保障。