商品分类 | DDR SDRAM | 存储器构架(格式) | SDRAM DDR3 |
存储容量 | 4Gbit | 工作温度 | 0℃~+95℃ |
工作电压 | 1.425V~1.575V | 时钟频率(fc) | 1.066GHz |
K4B4G1646E-BCNB 是一款由三星电子(SAMSUNG)生产的动态随机存取存储器(DRAM),它采用FBGA-96封装形式,主要用于各种高性能电子设备中。这款内存芯片在设计时充分考虑了现代计算系统对速度、容量和能效的要求,使其成为制造商和开发者的首选解决方案。
K4B4G1646E-BCNB 配备了 4Gb(即 4 Gigabit)的存储容量,采用DDR3(双倍数据速率同步动态随机存取存储器)技术,能够在高频操作下提供出色的性能。其主要参数包括:
这种配置使得 K4B4G1646E-BCNB 在传输数据时表现出很高的效率,并且在大容量数据处理上也能够满足高性能计算的需求。
K4B4G1646E-BCNB 由于其高性能和高密度的特点,广泛应用于多个领域,包括但不限于:
K4B4G1646E-BCNB 在性能上表现卓越,其主要特点包括:
作为三星的一款DRAM芯片,K4B4G1646E-BCNB 在制造工艺上采用了先进的制程技术,确保在市场上的竞争力。同时,该产品与许多主流的计算平台和主板兼容,便于集成和部署。
综合来看,K4B4G1646E-BCNB 是一款性能优越、能效高且应用广泛的动态随机存取存储器。无论是在个人计算设备、服务器平台,还是在嵌入式系统中,它都能够以其卓越的性能满足现代应用的需求。三星作为全球领先的半导体制造商,其DRAM产品的可靠性和先进性,使得K4B4G1646E-BCNB 成为设计工程师和技术开发者的理想选择。通过使用K4B4G1646E-BCNB,用户能够享受快速的数据处理和响应能力,为其设备的整体性能提供强有力的支持。