2SK2731T146
2SK2731T146参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.8 欧姆 @ 100mA，10V |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4V，10V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 200mA（Ta） | FET 类型 | N 通道 |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 25pF @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 功率耗散（最大值） | 200mW（Ta） | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
2SK2731T146手册
2SK2731T146概述
2SK2731T146 产品概述
产品基本信息
2SK2731T146 是一款由ROHM（罗姆）公司生产的高性能N通道MOSFET，采用表面贴装（SMT）技术，适用于多种电子电路的应用场景。该元器件以其优异的性能和相对较小的封装设计（SMT3）而受到广泛欢迎，是现代电子产品中不可或缺的组件之一。
主要参数分析
导通电阻（Rds On）: 在条件为100mA电流和10V的栅极驱动电压下，2SK2731的最大导通电阻为2.8欧姆。这意味着当器件导通时，电流的损失非常小，有助于提高整体电路的效率。
连续漏极电流（Id）: 该MOSFET可以在环境温度为25°C的条件下支持最高200mA的连续漏极电流，使其在驱动小负载时表现出色。此特性使得2SK2731能够在不产生过大热量的情况下高效工作。
漏源电压（Vdss）: 其漏源极限电压为30V，这使得该器件能够在多个低压电路中安全工作，对于电源管理和信号控制应用尤为重要。
功率耗散: 该型号的最大功率耗散为200mW（Ta），提供了较好的散热能力，其结构和材料的选择使其能在适当的工作环境下保持稳定的性能。
工作温度范围: 2SK2731T146的工作温度可达到150°C（TJ），使其在高温环境下运行而不失效，非常适合在恶劣环境中使用，如汽车电子、工业设备等。
驱动电压: 此MOSFET的驱动电压范围为4V到10V，能够适应多种控制信号，提高了电路设计的灵活性。
输入电容: 在10V的栅极电压下，输入电容（Ciss）最大值为25pF的设计，意味着其在开关速度上表现良好，可以满足高频率应用的需求，如开关电源、射频放大器等。
阈值电压（Vgs(th)）: 该器件的栅源阈值电压在1mA时最大为2.5V，表明在相对较低的控制电压下就能实现导通，有利于降低驱动电路的能耗。
应用场景
2SK2731T146因其优异的低导通电阻、高工作温度及精确的电气特性，被广泛应用于以下领域：
电源管理电路: 由于其较低的导通电阻和较高的功率处理能力，该MOSFET非常适合于高效的电源开关和电源调节电路，如DC-DC转换器和线性稳压器。
信号开关: 可以作为高频信号的开关元件，在音频和射频应用中表现出色，确保信号的完整性和一致性。
工业控制系统: 其耐高温特性使得2SK2731适合用于温度变化较大的工业应用，比如各种传感器和执行器的驱动。
汽车电子: 在汽车中，因为其耐高温且可靠性高的特性，使其可以应用于汽车的电子控制单元（ECU）及其它电气系统中。
结论
综上所述，2SK2731T146是一个具有高性能、高可靠性及多应用场合的N通道MOSFET组件。通过其优良的电气特性、适应广泛的环境能力和方便的表面贴装设计，使得它成为现代电子设备设计中不可或缺的一部分。随着技术的发展，2SK2731T146将在电子行业中继续发挥重要作用，满足越来越多的需求。