功率(Pd) | 500mW | 反向传输电容(Crss@Vds) | 20pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 140mΩ@10V,3A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 13.7nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 100V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 607pF | 连续漏极电流(Id) | 3A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
CJA03N10S是一款高性能的N沟道场效应管(MOSFET),凭借其独特的电气特性和优良的封装设计,广泛应用于各种电子电路中。该元件的额定功率为500mW,耐压可达100V,最大电流为3A,使其成为适合中功率及高效率电源管理解决方案的理想选择。
CJA03N10S的N沟道设计使得其在开启状态下具有较低的导通电阻(RDS(on)),在高电流应用中表现出色。这一点尤其体现在其开关频率高且损耗低的特性,为最终设备提供了更高的能效。此外,其耐压能力高达100V,能够有效地处理高电压工作环境,适合用于直流电源变换、马达驱动及信号放大等应用领域。
CJA03N10S采用SOT-89-3L封装,体积小巧,适合在空间受限的电路中使用。这种封装提供了良好的散热性能,使得MOSFET在高功率化设计中仍能保持稳定的工作状态。这一特点不仅有助于减小整体电路设计的尺寸,同时也提高了系统的可靠性与耐用性。
CJA03N10S广泛应用于多个领域,包括:
在手机充电器的电路中,CJA03N10S可作为切换元件,利用其高频开关特性,提高能量传输效率。在马达驱动板中,通过优化开关频率和使用适当的PWM控制信号,MOSFET可以实现高效的电流控制,降低功耗,提升电机的工作效率。同时,LED照明驱动中,CJA03N10S的快速开关能力可应用于脉冲调光设计,提供用户所需的可调光效果。
CJA03N10S凭借其出色的性能参数与多样的应用场景,是市场上值得信赖的N沟道MOSFET之一。无论是在消费电子、自动化控制还是智能家居等领域,它都能提供优质的电气性能和可靠的工作稳定性。在进行相关设计时,选择CJA03N10S将确保电路的高效运行和长久的使用寿命。根据不同的实际应用需求,设计师能够利用此款MOSFET创造出更具竞争力的电子产品。