IS25LP128F-JBLE-TR 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IS25LP128F-JBLE-TR

商品编码: BM0220934722
品牌 : 
ISSI(美国芯成)
封装 : 
SOIC-8-208mil
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
NOR FLASH 128Mbit SPI 800us 2.3V~3.6V SOIC-8-208mil
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
8.374
按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥8.374
--
100+
¥8.295
--
1000+
¥8.216
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

IS25LP128F-JBLE-TR参数

存储器格式闪存存储容量128Mb (16M x 8)
存储器接口SPI - 四 I/O, QPI, DTR安装类型表面贴装型
工作温度-40°C ~ 105°C(TA)技术FLASH - NOR
写周期时间 - 字,页800µs时钟频率133MHz
存储器类型非易失电压 - 供电2.3V ~ 3.6V

IS25LP128F-JBLE-TR手册

IS25LP128F-JBLE-TR概述

IS25LP128F-JBLE-TR 产品概述

概览

IS25LP128F-JBLE-TR 是一款高性能的 NOR 闪存存储器,由美国芯成(ISSI)生产,具有 128Mb(16M x 8) 的存储容量。该芯片采用四 I/O 的串行外设接口(SPI),支持四线 SPI(QPI)、双线传输(DTR),确保了高速数据传输的能力。其工作温度范围为 -40°C 至 105°C,适合于苛刻的工业和汽车应用。

主要特性

  • 存储容量:128Mb(16M x 8),可以满足各种应用的存储需求。
  • 接口:支持 SPI 和 QPI 接口,使其在数据传输上拥有灵活性和高效率,尤其是在处理高速数据时表现优异。
  • 时钟频率:最高可达 133MHz,提升了数据读取与写入的速度,加快了系统的响应时间。
  • 写周期时间:每个单元的写入时间为 800µs,适合需要频繁更新的应用场景。
  • 供电电压:工作在 2.3V 至 3.6V 的电压范围内,具有良好的电源兼容性和适应性,有助于降低功耗。
  • 存储器类型:作为一种非易失性存储器,IS25LP128F-JBLE-TR 能在断电的情况下保持数据的完整性,是嵌入式系统中的理想选择。
  • 封装类型:采用 SOIC-8-208mil 表面贴装封装,适合于空间有限的电路板设计,且易于自动化焊接。

应用场景

IS25LP128F-JBLE-TR 设计用于多种应用场景,包括但不限于:

  1. 汽车电子:在汽车控制单元、信息娱乐系统和电动汽车充电控制器等应用中,此芯片能够提供可靠的数据存储。
  2. 工业设备:在要求高温稳定性及耐环境影响的工业自动化设备中,作为故障保护和配置存储使用。
  3. 消费电子:在智能家居设备、视频监控和可穿戴设备中,实现持续的数据记录与存储。
  4. 网络设备:在路由器、交换机及其他网络设备中用作引导和固件更新,确保快速启动和高效运行。

性能优势

IS25LP128F-JBLE-TR 以其快速的读写速度,以及在宽范围内的工作温度展现了强大的性能优势。具备的 SPI/QPI 接口及高时钟频率,使其在执行更复杂的任务时有更优的表现。写入速度和低功耗的设计,更是使得本产品适合于需要动态内存管理的应用场景。

结论

总的来说,IS25LP128F-JBLE-TR 是一款集高性能、可靠性和灵活性于一体的闪存存储器,非常适合现代电子设备不断发展的需求。凭借其在工业、汽车及消费品领域的广泛应用,用户可以依赖其数据的安全性和读写的高效率。选择 IS25LP128F-JBLE-TR,意味着选择了稳定与高效的存储解决方案。