BSS138W 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BSS138W

商品编码: BM0220926966
品牌 : 
CJ(江苏长电/长晶)
封装 : 
SOT-323
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 300mW 50V 220mA 1个N沟道 SOT-323-3
库存 :
1036(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
0.647
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.647
--
200+
¥0.216
--
1500+
¥0.134
--
3000+
¥0.093
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

BSS138W参数

功率(Pd)300mW反向传输电容(Crss@Vds)6pF@25V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)6Ω@4.5V,0.22A
工作温度-55℃~+150℃漏源电压(Vdss)50V
类型1个N沟道输入电容(Ciss@Vds)27pF@25V
连续漏极电流(Id)220mA阈值电压(Vgs(th)@Id)1.5V@1mA

BSS138W手册

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BSS138W概述

BSS138W 产品概述

一、产品简介

BSS138W是一款广泛使用的N沟道增强型场效应管(MOSFET),其主要特性包括较低的导通电阻和高效的开关性能。该器件可以在300mW的功率范围内运行,适用于50V的电压环境,能够承受最大220mA的漏极电流。BSS138W采用SOT-323封装,适合用于各种空间有限的应用,如移动设备和便携式电子产品。

二、技术参数

  • 类型: N沟道MOSFET
  • 功率额定值: 300mW
  • 最大漏极-源极电压 (Vds): 50V
  • 最大漏极电流 (Id): 220mA
  • 封装类型: SOT-323-3
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 门极阈值电压 (Vgs(th)): 通常在1.0V至3.0V之间
  • 最大耗散功率: 300mW
  • 导通电阻 (Rds(on)): 低于100Ω

三、应用场景

BSS138W因其优越的电气性能,广泛应用于多个场景,包括:

  1. 低功耗开关: BSS138W可用于小型电路中的开关应用,通过低电压控制大电流的开关,具有极好的线性控制特性。
  2. 逻辑电平转换: 品牌和规格的灵活性使其在不同电平之间提供有效的电平转换,适合5V和3.3V逻辑电平的系统。
  3. 模拟开关: 由于其较低的导通电阻,BSS138W可以用作模拟开关,适合信号路径的控制。
  4. 电源管理: 用于电源轨的启用和禁用,提高系统的能效,降低待机功耗。

四、典型电路

在应用中,BSS138W可以形成简单的开关电路。下图显示了一个使用BSS138W作为开关的基本电路:

  • Vdd为供电电压,通常在5V至12V之间。
  • 输入信号可以直接连至门极,通过调节信号电平可以控制漏极与源极之间的通断。

该电路因其简单性和高效性的特点,得到了广泛的推广。

五、特点和优点

  1. 高效能: BSS138W在开关操作时具有极快的响应时间,能够在高频应用中表现出色。
  2. 小型封装: SOT-323的微型封装使其适合空间有限的应用,为多种电子设计提供了灵活性。
  3. 低功耗: 在待机模式下,器件的有效门极电流非常低,有助于节省电源,提高电源管理效果。
  4. 可靠性高: 该器件设计符合严格的工业标准,具有优良的热稳定性和环境适应性,确保在多变环境中的稳定性能。

六、总结

BSS138W是一款高效、可靠的小型N沟道MOSFET,适用于多种电子应用,包含低功耗开关、逻辑电平转换和电源管理。凭借其优异的性能参数和小巧的SOT-323封装,BSS138W能够满足现代电子设计对空间和性能的严格要求,是电子工程师在设计中值得选择的优质元器件。随着电子技术的不断发展,BSS138W将继续在新的前沿应用中发挥重要作用。