SCT040W120G3-4AG 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

SCT040W120G3-4AG

商品编码: BM0220888920
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
HiP-247-4
包装 : 
管装
重量 : 
-
描述 : 
Transistor: N-MOSFET; unipolar
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
55.91
按整 :
管(1管有600个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥55.91
--
10+
¥49.92
--
12000+
产品参数
产品手册
产品概述

SCT040W120G3-4AG参数

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SCT040W120G3-4AG手册

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SCT040W120G3-4AG概述

SCT040W120G3-4AG 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能 N 型金属氧化物半导体场效应晶体管(N-MOSFET),其设计专为高效能电力电子应用而优化,适用于多种工业和消费电子产品。这款 MOSFET 的最大额定电压为 1200V,额定电流为 40A,使其成为高电压和高电流条件下的理想选择。

产品特点

  1. 高电压和大电流处理能力: SCT040W120G3-4AG 的额定电压高达 1200V,额定电流为 40A,能够在极端操作条件下保持稳定的性能。这个特性使其在逆变器、开关电源和电机驱动等高电压应用中表现出色。

  2. 低导通电阻: 作为现代功率 MOSFET,这款产品具有较低的导通电阻(RDS(on)),这意味着在工作过程中会产生更少的功率损失,从而提高转换效率。降低的导通电阻也有助于减小散热需求,提高系统的整体可靠性。

  3. 快速开关特性: SCT040W120G3-4AG 具备较快的开关速度,能够快速开启和关闭,从而适应高频操作的需求。这一特性对于提升开关电源和高频逆变器的性能至关重要,有助于减少开关损耗并提升效率。

  4. 良好的热管理: 封装形式为 HiP-247-4,优越的散热性能使得这款 MOSFET 能够在恶劣环境下可靠工作,降低了在高电流条件下的温升风险。良好的热管理是确保长时间、高负载运行所必需的特性。

  5. 单极性结构: N-MOSFET 的单极性结构使得它在电源转换和功率控制应用中具备较高的效率。其控制信号要求较低电压,从而简化了驱动电路设计。

应用场景

SCT040W120G3-4AG 可广泛应用于多个领域,主要包括:

  1. 开关电源: 该元器件适合用于各种开关电源中,包括 AC-DC 转换器和 DC-DC 转换器,可以有效提高电源的效率和稳定性。

  2. 逆变器: 在太阳能逆变器和工业电力逆变器等应用中,SCT040W120G3-4AG 的高电压和高电流能力确保了系统的可靠运行。

  3. 电动车及电机驱动: 该 MOSFET 可用于电动车驱动系统以及其他电机控制应用中,满足对高功率和高性能的要求。

  4. 电力电子控制: 可用于电力电子设备的高频开关和控制,如智能电网和UPS系统,提升传输效率和减少能耗。

结论

SCT040W120G3-4AG 是意法半导体推出的一款高素质 N-MOSFET,凭借其出色的电气特性和良好的热管理能力,适用于高功率、高电压的电力电子应用。无论是在设计开关电源、逆变器,还是在电动车和电机驱动领域,这款 MOSFET 的优越性能都能为产品带来更高的效率和稳定性。针对各类电子设备的需求,SCT040W120G3-4AG 将是一个可靠的选择。