NDC7002N

NDC7002N 产品概述

NDC7002N 是一款高性能的 N-通道场效应管(MOSFET)，专为低功耗和高效率的应用而设计。该器件由知名品牌安森美(ON Semiconductor)制造，以其卓越的性能和可靠性广泛应用于各种电子电路中。

主要参数

• 类型与封装: NDC7002N 是一款双 N-通道 MOSFET，采用 SuperSOT™-6 封装。此封装具有优良的散热性能和紧凑的体积，非常适用于面向空间有限的应用场景。

• 导通电阻: 在 25°C 条件下，当漏极电流 (Id) 为 510mA，栅极源极电压 (Vgs) 为 10V 时，导通电阻的最大值为 2 欧姆。这使得 NDC7002N 在低导通损耗下实现高效能，适合进行低电压、高电流的开关应用。

• 漏源电压: 器件的最大漏源电压 (Vdss) 为 50V，适合用于各种工频和脉冲应用，确保其在多个斜坡电压条件下的稳定性。

• 工作温度范围: NDC7002N 的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C，适合在严酷的环境中使用，确保长久的安全性与可靠性。

电流与功率特性

• 连续漏极电流: 该 MOSFET 支持的连续漏极电流 (Id) 为 510mA，有助于满足大多数低功耗系统的要求。

• 功率处理能力: 最大功率为 700mW，这意味着该器件能够在较高的工作效率下稳定运行，尤其适合用于电池供电的便携式设备。

输入与栅极特性

• 输入电容: 在 25V 条件下的最大输入电容 (Ciss) 为 20pF，表明其具有较低的输入延迟，这对高频应用尤其重要。

• 栅极电荷: 在 10V 的条件下，栅极电荷 (Qg) 最大值仅为 1nC，进一步优化了开关性能，降低了驱动电路的功耗。

• 阈值电压 (Vgs(th)): 在 250µA 时阈值电压的最大值为 2.5V，适用于逻辑电平的应用，在低电压的逻辑电路中表现优异。

应用场景

NDC7002N 适合用于多种电子设备，包括但不限于：

1. 开关电源: 由于其低导通电阻和高频特性，该 MOSFET 可以作为开关元件，在高频开关电源中有效提高效率。

2. 电机驱动: 在小型电机驱动应用中，NDC7002N 能够以低功耗控制电机的启动和停止。

3. 便携式设备: 在需要节能的便携式电子设备中，NDC7002N 作为开关器件能够在保证性能的同时降低功耗，延长电池使用寿命。

4. 逻辑电平转换: 由于其适用于低电平逻辑电路，NDC7002N 可作为逻辑级别转换的关键元素，使不同电压等级的电路能够互通。

总结

NDC7002N 是一款功能强大、性能稳定的 N-通道 MOSFET，凭借其出色的电气特性、宽广的工作温度范围以及便捷的表面贴装型封装，成为各种电子设备中的理想选择。无论是在开关电源、电子驱动，还是在便携式设备中，NDC7002N 都能为设计工程师提供可靠的解决方案，是现代电子应用中的理想选择。