FQB55N10TM
FQB55N10TM参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 55A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 26 毫欧 @ 27.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 98nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±25V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2730pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 3.75W（Ta），155W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D²PAK（TO-263AB） |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
FQB55N10TM手册
FQB55N10TM概述
FQB55N10TM 产品概述
FQB55N10TM 是一款高性能的 N 通道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由安森美（ON Semiconductor）公司生产。该器件广泛应用于电源管理、开关电源以及高频应用中，具备可靠的性能和高效率特性。以下是对该产品的详细介绍。
1. 关键参数
FQB55N10TM 在高电压和大电流条件下表现出色，其主要参数如下：
- 漏源电压 (Vdss): 100V
- 连续漏极电流 (Id): 55A (在结温 Tc 下)
- 导通电阻 (Rds On): 在 27.5A、10V 时，最大值为 26 毫欧
- 门极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为 4V @ 250µA
- 栅极电荷 (Qg): 最大值为 98nC @ 10V
- 功率耗散: 最大值为 3.75W (环境温度 Ta) 和 155W (结温 Tc)
- 工作温度范围: -55°C 至 175°C（结温 TJ）
- 封装: D²PAK（TO-263AB），适合表面贴装
这些参数使得 FQB55N10TM 在高功率应用中具有极大的灵活性和可靠性。
2. 结构与封装
FQB55N10TM 的封装为 D²PAK（TO-263AB），这是一个紧凑的表面贴装封装，便于在现代电路板设计中进行布局。该封装拥有两个引脚及一个接片，可提供优异的散热性能，有助于在高负载情况下避免过热，提高整体系统的可靠性。
3. 工作原理
作为一款 N 通道 MOSFET，FQB55N10TM 的工作原理基于电场效应。当栅极电压（Vgs）超过其阈值电压（Vgs(th)）时，MOSFET 开关导通，允许漏源间电流（Id）流动。通过控制栅电压，可以精确调节输出电流的大小，从而实现电源的智能控制。
4. 应用领域
FQB55N10TM 具有良好的电气特性和热性能，广泛应用于以下领域：
- 开关电源（SMPS）: 在高效能电源转换器中，MOSFET 可用作开关元件，能够提供快速的开关速度和低导通损耗。
- DC-DC 转换器: 在电源管理系统中，FQB55N10TM 可用于提升、降压和反向变换等多种方式。
- 电机驱动: 该器件可以用于各类电机驱动电路，有助于实现高效的电能转化和控制。
- LED 驱动电路: 作为开关元件，MOSFET 能有效调节 LED 灯的工作状态，确保其稳定性和长寿命。
5. 散热与电流管理
考虑到 FQB55N10TM 的最大功率耗散为 155W，设计时必须充分考虑散热管理。其 D²PAK 封装设计有助于将（热量）有效散发到电路板，减少升温对器件性能的影响。设计时应考虑合理的 PCB 设计和散热片以确保器件在高负载下稳定工作。
6. 结论
FQB55N10TM 是一款高性能的 MOSFET，凭借其出色的电气性能、广泛的应用领域及可靠的热管理特性，成为设计高效能电源系统和各种电力电子设备的理想选择。其高耐压和大电流能力适合多种苛刻工作环境，满足现代电子应用对性能和可靠性的需求。在选择器件时，FQB55N10TM 为工程师提供了极大的灵活性，使其成为当今电子设计中的热门选择。