IRFZ46NSTRLPBF
IRFZ46NSTRLPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 55V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 53A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 16.5 毫欧 @ 28A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 72nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1696pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 3.8W（Ta），107W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D2PAK |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
IRFZ46NSTRLPBF手册
IRFZ46NSTRLPBF概述
产品概述：IRFZ46NSTRLPBF
一、基本信息 IRFZ46NSTRLPBF是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由英飞凌（Infineon）公司制造。该器件专为提供极高的导通效率和耐用性而设计，适用于各种要求高电流和高电压的应用场合。它采用D2PAK封装，适合表面贴装技术，为电路设计提供了灵活性和紧凑性。
二、关键参数
漏源电压（Vdss）： 55V。IRFZ46NSTRLPBF的允许最大漏源电压为55伏特，对于许多中高压应用而言，这个电压范围确保了其可靠性和稳定性。
连续漏极电流（Id）： 25°C时可达53A。这一参数显示了该MOSFET良好的载流能力，适合大电流负载的驱动。
驱动电压： 为实现最佳的导通性能，要求驱动电压为10V时，Rds(on)的最小值显著降低至可能的16.5毫欧。这意味着在实际应用中，当MOSFET导通时，其电阻非常小，从而减少功耗和热量生成。
门极阈值电压（Vgs(th)）： 该器件的 Vgs(th) 最大值为4V @ 250µA，适合多种控制电压范围，有助于确保在较低的驱动电压下也能可靠地开启。
栅极电荷（Qg）： 在10V下，Qg 最大值为72nC。这一特性确保在快速开关应用中，驱动电路的负载需求最低，从而提升效率。
工作温度范围： -55°C至175°C的广泛工作温度范围，使得该MOSFET能够在极端环境条件下稳定运行，满足汽车、工业及其他需求严苛的应用。
最大功率耗散： 在环境温度下，该器件的最大功率耗散为3.8W，而在结温控制的情况下，最大功率耗散可达到107W，极大增强了设计的灵活性。
三、应用场景 IRFZ46NSTRLPBF广泛应用于多个领域，包括但不限于：
- 电动汽车驱动控制：在电动车及混合动力车的电机驱动中，MOSFET的特性可以有效控制电流并降低能量损耗。
- 开关电源：在开关电源中，该MOSFET可作为开关元件，进行高效率的DC-DC转换。
- 电流控制和电机驱动：因为其高电流和高电压的特性，广泛应用于电动工具的电机驱动以及工业电机控制系统。
- 消费电子：适用于高功率电子设备的功率管理，确保高效能与长寿命。
四、总结 IRFZ46NSTRLPBF是一款在多种工作环境下表现出色的N沟道MOSFET，其高导电性、低开关损耗和宽广的温度适应性使其能够满足严格的工程需求。英飞凌的研发技术与工艺确保了产品质量和性能的稳定性，非常适合现代电子应用日益增长的效率和可靠性需求。无论是在设计高功率的电源转换电路，还是在创新电动车辆技术中，IRFZ46NSTRLPBF都是一个理想的选择。