IDH04G65C6XKSA1
IDH04G65C6XKSA1参数
| 二极管类型 | 碳化硅肖特基 | 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 650V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 12A（DC） | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.35V @ 4A |
| 速度 | 无恢复时间 > 500mA（Io） | 反向恢复时间 (trr) | 0ns |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 14µA @ 420V | 不同 Vr、F 时电容 | 205pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-220-2 |
| 供应商器件封装 | PG-TO220-2 | 工作温度 - 结 | -55°C ~ 175°C |
IDH04G65C6XKSA1手册
IDH04G65C6XKSA1概述
产品概述：IDH04G65C6XKSA1
基本信息
编号 IDH04G65C6XKSA1 是英飞凌（Infineon）旗下的 CoolSiC™ 碳化硅肖特基二极管，特征为650V的额定反向电压和12A的平均整流电流。这一产品凭借其先进的硅碳化技术，充分发挥了碳化硅材料相较于传统硅材料的诸多优势，特别是在高效能和高功率应用场景中的表现。
关键参数
- 二极管类型：碳化硅肖特基二极管
- 最大反向电压 (Vr)：650V
- 平均整流电流 (Io)：12A（DC）
- 正向压降 (Vf)：@ 4A 时为 1.35V
- 无恢复时间：> 500mA (Io)
- 反向恢复时间 (trr)：0ns
- 反向泄漏电流：@ 420V 时为 14µA
- 电容 (C)：@ 1V 和 1MHz 时为 205pF
- 安装类型：通孔
- 封装类型：TO-220-2
- 工作温度范围：-55°C ~ 175°C
技术优势
IDH04G65C6XKSA1 是基于最新的硅碳化技术进行设计与制造的。从结构上看，英飞凌采用了创新的焊接工艺及更为紧凑的设计，加上薄片技术以及新型肖特基金属系统，形成了一系列具有最佳电气特性的产品。这种产品能够在各种负载条件下提高效率，其优越的性能表现使得该系列成为市场上更具竞争力的选择。
高效率表现
IC的主要特性之一是其优越的效率。这种效率的提升源自于二极管的最佳优质性能指标（Q c x V F），这意味着在特定条件下该元件所表现出来的电气特性是极为优秀的。因此，在高效能驱动、变频器、以及电源管理等应中，IDH04G65C6XKSA1 提供了一个理想的解决方案。
温度适应性及长期稳定性
IDH04G65C6XKSA1的温度工作范围为-55°C至175°C，使其在恶劣环境下仍能保持高可靠性和高性能。这种宽广的工作温度范围使得该二极管适合于汽车电子、工业控制系统以及各种高温和高压条件下的应用。
应用场景
由于其优良的电气性能和温度适应性，IDH04G65C6XKSA1 可以广泛应用于各类高效能电源设备，包括电源转换器、电机驱动、直流-直流转换器及逆变器等。此外，凭借其低反向恢复特性，它也非常适合用于高频开关电源和能量回收系统，能有效减少能量损耗，提高整体系统的效率。
结论
IDH04G65C6XKSA1作为英飞凌的标志性产品之一，通过采用先进的硅碳化技术，提供了卓越的高压、高流量及宽温度范围的性能，可以满足现代高效能电子系统对元器件的严格要求。无论是在电力转换、功率控制或是其他高能应用中，该产品无疑是一个值得信赖的解决方案，为用户提供了更好的性能与经济效益。