工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 11nC @ 4.5V,12nC @ 2.5V |
FET 类型 | N 和 P 沟道 | FET 功能 | 标准 |
安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 800pF,405pF @ 8V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 38 毫欧 @ 4.5A,4.5V,90 毫欧 @ 500mA,4.5V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5A,4A | 漏源电压(Vdss) | 20V |
产品名称: SIL2308-TP
类型: MOSFET(场效应管)
品牌: MCC(美微科)
封装类型: SOT-23-6L
FET 类型: N 沟道与 P 沟道
工作温度范围: -55°C ~ 150°C
SIL2308-TP 是一种高性能的N沟道和P沟道MOSFET,其结构设计与选材使其能够在严苛的环境下稳定工作。它的工作温度范围为-55°C至150°C,适用于高温和低温应用,能够满足各种工业和消费电子产品的需求。
栅极电荷 (Qg)
在不同的栅源电压 (Vgs) 下,SIL2308-TP 的栅极电荷最大值分别为 11nC(在 4.5V)和 12nC(在 2.5V)。较低的栅极电荷使得该器件在开关时的响应速度更快,适合高频开关应用。
导通电阻 (Rds(on))
该MOSFET在4.5V和4.5A的条件下,其导通电阻为 38 毫欧,确保了较低的功率损耗。对于较小电流(500mA)时,导通电阻可达到 90 毫欧。这使得SIL2308-TP在DC-DC转换器、负载开关等应用中具有较高的效率,降低了热量产生。
连续漏极电流 (Id)
SIL2308-TP 在25°C时的最大连续漏极电流为5A和4A,显示了其在不同工作条件下的良好导电性能。这种设计使其非常适合需要较高电流输出的电路,如马达驱动、LED照明和电源管理系统。
漏源电压 (Vdss)
最大漏源电压为20V,使得SIL2308-TP可以在大多数小型电源管理和开关应用中使用。
SIL2308-TP 由于其卓越的电性与温度范围,能广泛应用于各类电子设备,包括但不限于:
电源管理
在DC-DC转换器中用作开关元件,以实现高效的电能转换。
负载开关
由于低导通电阻的特性,使其适合在电源模块和其他电路中作为负载开关使用,以提高效率和延长组件的使用寿命。
马达控制
在电动机驱动电路中,SIL2308-TP 能够提供稳定的电流控制,尤其在需要快速开关操作的应用中表现出色。
LED照明驱动
在LED驱动电路中,可以作为调光控制或亮度控制的关键元件,确保高效的电流传导。
SIL2308-TP采用SOT-23-6L封装类型,适合表面贴装。此小型封装确保了极好的空间效率,也是现代电子设备中不可或缺的一部分。其焊接环境适应性强,使其能够轻松集成到自动化生产流程中,简化了生产工序并提高了整机效率。
高效率
SIL2308-TP具有低导通电阻和小栅极电荷,确保了在高频和高效能下的应用表现,降低了能耗,提升了运作效率。
广泛的工作温度范围
能够在极端环境下稳定工作,特适合工业设备及高需求环境的使用需求。
高灵活性与良好的兼容性
N沟道和P沟道的双管设计,使得设计工程师可以灵活选择和组合,提升了电路设计的广度与兼容性。
SIL2308-TP MOSFET凭借其杰出的性能、广泛的应用范围和优良的设计,成为电源管理、马达控制以及LED照明等多种应用的理想选择。无论是在高频操作还是在高温环境下,其稳定性和可靠性都能满足现代电子产品对效率与性能的严苛要求。