BSC520N15NS3G
BSC520N15NS3G参数
| 功率(Pd) | 57W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 3.4pF@75V |
| 商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 52mΩ@10V,18A |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 12nC@10V |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | 类型 | 1个N沟道 |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 890pF | 连续漏极电流(Id) | 21A |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@35uA |
BSC520N15NS3G手册
BSC520N15NS3G概述
BSC520N15NS3G 产品概述
一、基本信息
产品名称： BSC520N15NS3G
类型： N沟道场效应管（MOSFET）
封装： TDSON-8-EP (5x6)
品牌： Infineon (英飞凌)
额定功率： 57W
最大电压： 150V
最大电流： 21A
二、产品特性
BSC520N15NS3G 是一款采用先进技术制造的 N沟道 MOSFET，其主要特点包括高电压承受能力、低导通电阻、高效率以及良好的热管理性能。该器件的最高电压可达到150V，最大持续电流为21A，适用于需要高电压和高电流的各种应用。
低导通电阻 (RDS(on))： BSC520N15NS3G 的导通电阻非常低，能够有效减少在开关过程中产生的能量损失，从而提高整体系统效率。这对于要求高效能运作的电源系统来说极为重要。
高速开关操作： 该MOSFET支持更高的开关速度，使其适合高频率工作环境，尤其是在开关电源、DC-DC转换器、马达驱动等应用中，能够有效提升系统响应速度和性能。
热性能： 采用热增强封装设计，能够有效提升MOSFET的散热能力，确保在长时间运行情况下稳定工作。此外，TDSON-8-EP封装提供了良好的热传导性能，降低了热积累的风险。
可靠性和耐用性： Infineon作为知名的半导体制造商，对于产品的制造工艺有严格的控制，BSC520N15NS3G 在高温和高压环境中表现出优越的稳定性和耐用性，适合各种工业和商用应用。
三、应用场景
BSC520N15NS3G 的广泛应用主要体现在以下几个领域：
开关电源： 在各种类型的开关电源中，BSC520N15NS3G 的高开关速度和低导通电阻使其成为理想选择，能够提高系统能效并降低热损失。
DC-DC转换器： 在DC-DC电源转换的场景中，该MOSFET能够提高转换效率，减少功率损耗，适配移动设备、嵌入式系统及电池供电设备。
马达驱动： 在电机驱动应用中，BSC520N15NS3G 可作为驱动开关，为电动机提供高效能的供电，有效改善启动和控制性能。
汽车电子： 随着电动车和混合动力汽车的普及，该MOSFET也可以用于车载充电器、动力电池管理系统等关键领域，满足高电压、高性能的需求。
可再生能源： 在太阳能逆变器和风能转换系统中，BSC520N15NS3G 提供所需的高电压和高效能，为可再生能源的高效利用做出贡献。
四、总结
BSC520N15NS3G 是一款设计合理，性能卓越的 N沟道 MOSFET，具备高电压承受能力和良好的电流处理能力，是现代电子设备中不可或缺的重要元件。凭借其在多种应用场景中的适用性、优越的效率以及支撑在高温及高压环境下的稳定性，BSC520N15NS3G 成为创新电子设计和高性能系统的理想选择。无论是在工业领域还是在消费电子产品中，其卓越的性能都将大幅提升应用设备的整体效率和可靠性。通过选择 BSC520N15NS3G，工程师可以优化设计，满足高效能的挑战。