FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 40V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 240A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 6V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 0.75 毫欧 @ 100A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3.9V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 460nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 13975pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 375W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D2PAK(7-Lead) |
封装/外壳 | TO-263-7,D²Pak(6 引线 + 接片) |
IRFS7430TRL7PP 是一款高性能的 N 通道 MOSFET(场效应管),由著名的半导体制造商英飞凌(Infineon)生产。该产品专为需要高电流承载能力以及快速开关性能的应用场景设计,具有出色的功率处理能力和低导通电阻,是工业、汽车、消费电子以及电源管理等领域广泛应用的重要选择。
漏源电压(Vds): IRFS7430TRL7PP 的漏源电压为 40V,适合多种高压应用场景。其相对较高的电压承受能力使其在复杂的电路设计中表现出色。
连续漏极电流(Id): 在 25°C 时,该 MOSFET 的连续漏极电流可达到 240A,满足高功率负载需求。这一特性特别适合于电源转换器、马达控制以及其他需要高电流的应用。
导通电阻(Rds On): 在 10V 的栅极驱动电压下,IRFS7430TRL7PP 的最大导通电阻为 0.75 毫欧(@ 100A),这使得器件在导通状态时能量损耗极小,提高了电路的整体效率。
栅极阈值电压(Vgs(th)): 此器件的最大栅极阈值电压为 3.9V(@ 250µA),确保在较低的栅极电压下就能导通,方便与多种控制电路相连。
门极电荷(Qg): 在 10V 的栅极电压下,IRFS7430TRL7PP 的最大门极电荷为 460nC。较低的门极电荷使得驱动电路在开关时的能耗更低,适用于快频率开关应用。
功率耗散: 该器件的最大功率耗散为 375W(在关键环境温度 Tc),适合于要求高功率的电源和驱动电路,大大增强了其在高温环境下的安全性和可靠性。
工作温度: IRFS7430TRL7PP 支持扩展的工作温度范围,从 -55°C 到 175°C,使其能够在极端的环境中正常工作,适用于汽车及工业级应用。
封装类型: 采用 D2PAK(TO-263-7)封装,具备良好的热管理能力和电气性能,便于表面贴装(SMT),适应现代电子产品的小型化趋势。
由于其卓越的电性能和可靠性,IRFS7430TRL7PP MOSFET 被广泛应用于以下场景:
IRFS7430TRL7PP 是一款极具竞争力的 N 通道 MOSFET,兼具高电流承载能力、低导通电阻和高工作温度范围,能够在多种应用中提供卓越的性能。不论是在电源管理、马达驱动还是汽车电子领域,其高效、可靠的特性确保了工程师能设计出更加高效与稳定的电子设备。选择 IRFS7430TRL7PP,您将获得高品质的电子解决方案。