DMTH6016LPSQ-13
DMTH6016LPSQ-13参数
| 制造商 | Diodes Incorporated | 系列 | Automotive, AEC-Q101 |
| 包装 | 卷带（TR） | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9.8A（Ta），37A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 16 毫欧 @ 20A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 功率耗散（最大值） | 2.6W（Ta），37.5W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerDI5060-8 | 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 17nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 864pF @ 30V |
DMTH6016LPSQ-13手册
DMTH6016LPSQ-13概述
产品概述：DMTH6016LPSQ-13
DMTH6016LPSQ-13 是由 Diodes Incorporated 生产的一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），该组件专为汽车应用设计，并符合 AEC-Q101 认证标准，能够在极端条件下可靠工作。采用表面贴装型封装，型号为 PowerDI-5060-8，该器件既适用于高温环境，又具备优异的电气性能，尤其适合对功率和热管理要求较高的应用。
基本参数与性能
电流承载能力： DMTH6016LPSQ-13 在 25°C 的工作环境下，可以连续承载9.8A 的漏极电流（Id），而在更高的散热条件下（Tc），电流承载能力可高达37A。这一特性使得该 MOSFET 适合用于要求高电流输出的复杂电气系统。
导通电阻： 该器件在 20A 和 10V 的条件下，最大导通电阻（Rds On）为 16 毫欧，表现出极低的导通损耗，能够显著降低能量损耗，提高系统的整体效率。
栅极与源极电压： DMTH6016LPSQ-13 的最大栅极源极电压（Vgs）为 ±20V，提供了广泛的控制兼容性，同时栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为 2.5V（ @ 250µA），便于快速启动和关闭，并使电路设计更为灵活。
功率耗散： 器件在环境温度（Ta）下的最大功率耗散为 2.6W，而在提高散热条件下可达到 37.5W（Tc）。这一特性使其在复杂的电气系统中能够有效管理热量，使产品在高效率运行中保持稳定。
工作温度范围： DMTH6016LPSQ-13 可在 -55°C 至 175°C 的极端温度环境中工作，广泛适应于汽车、航空航天及其他苛刻行业的应用需求。
电荷和电容： 在 10V 的驱动电压下，栅极电荷 (Qg) 最大值为 17nC，输入电容 (Ciss) 最大值为 864pF @ 30V。这一点对于开关频率高的应用（如 DC-DC 转换器、逆变器等）尤其重要，确保快速响应与高效能。
应用场景
DMTH6016LPSQ-13 的设计理念使其适用于多种汽车电子应用，比如电动驱动系统、能量管理系统、以及电源转换设备。同时，由于其优异的热性能和电流能力，该 MOSFET 也适合用于电池管理系统、汽车动力系统、以及其它工业自动化控制设备。它尤其适合鲁棒性要求较高的高功率应用场景，在汽车动力系统中的高温、高振动环境中表现稳定。
总结
作为一款经过严格测试并适合在复杂和严苛条件下工作的 N 通道 MOSFET，DMTH6016LPSQ-13 凭借其出色的电气性能、可靠的热管理能力和极低的导通损耗，为各种高性能汽车与工业应用提供了强有力的解决方案。无论是在高功率应用还是功率转换的具体场合，该器件都能为设计师提供卓越的设计灵活性与安全保障。