存储器接口 | SPI - 四 I/O, QPI, DTR | 安装类型 | 表面贴装型 |
存储容量 | 128Mb (16M x 8) | 时钟频率 | 133MHz |
写周期时间 - 字,页 | 3ms | 工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) |
电压 - 供电 | 2.7V ~ 3.6V | 技术 | FLASH - NOR |
存储器格式 | 闪存 | 存储器类型 | 非易失 |
W25Q128JVEIQ是由台湾华邦半导体(Winbond)生产的一款高性能NOR闪存存储器。其主要特点包括128Mb(16M x 8)的存储容量、支持SPI四I/O、QPI和DTR接口,设计用于各种嵌入式系统中,以便在需要高速度与高效率的数据存储时满足应用需求。该器件采用表面贴装型(SMT),因此在现代电路板设计中具有更好的设计灵活性和空间利用率。
W25Q128JVEIQ采用WSON-8-EP(6mm x 8mm)的封装方式,优势在于体积小巧,能够更好地融入各种现代的电路板设计中,尤其是在空间受限的应用场合。此外,表面贴装的设计使得焊接与组装更加高效,进一步提升了生产效率与制造的可靠性。
W25Q128JVEIQ广泛应用于需高速度和高密度存储的领域,特别是在以下几个方面表现突出:
W25Q128JVEIQ凭借其高性能的存储能力、快捷的读写速度以及广泛的应用兼容性,成为了众多电子设计工程师的优选存储器之一。无论是在新型产品的开发还是在现有产品的升级中,W25Q128JVEIQ都能够有效支持数据密集型应用需求。华邦半导体的这一产品,凭借其卓越的性价比与广泛的适用性,必将继续在闪存领域发挥重要作用。