AO4407A 产品实物图片
AO4407A 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

AO4407A

商品编码: BM0220357835
品牌 : 
TECH PUBLIC(台舟电子)
封装 : 
SOP-8
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) AO4407A SOP-8
库存 :
3000(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.844
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.844
--
200+
¥0.504
--
1500+
¥0.5
--
3000+
¥0.495
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

AO4407A参数

功率(Pd)37W反向传输电容(Crss@Vds)237pF@15V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)11mΩ@10V
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)22nC@4.5V
漏源电压(Vdss)30V输入电容(Ciss@Vds)2.215nF@15V
连续漏极电流(Id)14.3A阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@10A

AO4407A手册

AO4407A概述

AO4407A产品概述

一、产品简介

AO4407A是一款来自TECH PUBLIC(台舟电子)的N沟道增强型场效应晶体管,封装方式为SOP-8。该器件专为低电压高效率开关应用而设计,具有较低的导通电阻(Rds(on))和快速的开关特性,适用于各类电子设备中的功率管理和开关电路。AO4407A以其优良的性能和可靠性,广泛应用于电源管理、LED驱动、电机控制和负载开关等领域。

二、技术规格

AO4407A的关键技术参数包括:

  • 类型:N沟道增强型场效应晶体管
  • 封装方式:SOP-8
  • 最大漏极源极电压(Vds):30V
  • 最大漏极电流(Id):8A(在适当的散热条件下)
  • 导通电阻(Rds(on)):典型值为8.0mΩ(Vgs=10V条件下)
  • 栅极阈值电压(Vgs(th)):1-3V
  • 开关特性:具有快速开关时间,适用于开关电源应用

这些参数使得AO4407A在高频应用下具有出色的性能,能够有效提高系统的整体效率并减少功耗。

三、应用场景

AO4407A主要应用于以下领域:

  1. 开关电源:由于其低导通电阻和高电流承载能力,AO4407A非常适合用于DC-DC转换器中,可以有效降低开关损耗,提高转换效率。

  2. LED驱动:AO4407A可用于LED照明的电源开关,以提供稳定的电流输出和电源管理,保证LED的稳定性和寿命。

  3. 电机控制:在电机驱动应用中,AO4407A能够为直流电机提供高效的开关控制,有助于提高电机的启动和运行效率。

  4. 负载开关:作为负载开关,AO4407A能够实现对各种负载的快速开关,有助于保护敏感电路和提高系统的整体性能。

四、优越性与优势

AO4407A具备多项优越性,使其在市场上具有竞争力:

  • 高效能:低Rds(on)值和高电流能力,能在较低的功耗下支持高效的开关操作。

  • 抗干扰能力强:N沟道结构使得其对电压波动的抗干扰能力优越,适用于各种复杂的电力和电子环境。

  • 成本效益:作为可靠的性能器件,AO4407A提供高性价比,适合大规模生产和使用,降低整体系统成本。

  • 布局灵活性:SOP-8封装紧凑,易于集成于各种电路板设计中,适合多种应用场景的不同设计需求。

五、使用建议

在使用AO4407A时,应注意以下几点:

  1. 散热设计:根据实际负载电流选择合适的散热措施,以确保器件在高电流下运行时不会过热,影响性能和可靠性。

  2. 驱动电压:确保驱动栅极的电压能够达到所需的Vgs(th),以保证晶体管完全导通,减少开关损耗。

  3. 电路保护:为防止过电流和电压突变等意外情况,引入适当的电流保护和电压保护电路,以提高整体系统的安全性和稳定性。

六、总结

综上所述,AO4407A作为一款高性能N沟道MOSFET,凭借其优越的技术参数和可靠的应用性能,成为众多电子应用中的理想选择。无论是在开关电源、电机控制还是LED驱动等领域,AO4407A都能够有效提升效率,降低能耗,是现代电子设计中不可或缺的重要元件。随着工业的不断发展,AO4407A的应用前景将更加广阔,必将在各类高端技术和产品中发挥重要作用。