IS43TR16256B-125KBLI

IS43TR16256B-125KBLI 产品概述

1. 产品简介

IS43TR16256B-125KBLI 是一款由美国芯成 (ISSI) 生产的高性能DDR3 SDRAM器件，采用256M x 16的存储结构，具有4Gb（即4096Mb）的存储容量。该产品专为需要高带宽和低功耗的应用而设计，能够在宽广的工作温度下提供可靠的存储解决方案。

2. 存储器规格

该器件的基本规格如下：

• 存储器格式: DDR3 SDRAM
• 存储容量: 4Gb (256M x 16)
• 工作温度范围: -40°C ~ 95°C
• 封装类型: 96-TWBGA (9x13)
• 电压: 1.425V ~ 1.575V
• 时钟频率: 800MHz
• 访问时间: 20ns
• 写周期时间（字，页）: 15ns
• 安装类型: 表面贴装型（SMD）

3. 存储器接口

IS43TR16256B-125KBLI采用并联接口设计，具有优化的数据传输能力，确保在高负载情况下依旧能够保持稳定的性能输出。此设计特别适合需要大数据带宽的嵌入式系统和计算应用。

4. 性能特点

该DDR3存储器相较于先前版本的SDRAM，具备更高的数据传输速率与更低的功耗，适合高速计算机和数据密集型应用。IS43TR16256B-125KBLI的800MHz时钟频率与其20ns的访问时间保证了快速的数据存取。而较短的写周期时间（15ns）则显著提高了存储器的数据写入能力，更好地支撑了多任务处理和高负载操作。

5. 应用领域

IS43TR16256B-125KBLI广泛应用于多种高性能电子设备中，包括：

• 计算机和服务器: 优秀的带宽和容量使其成为高端计算机和服务器系统的理想选择。
• 嵌入式系统: 具备宽温特性，使其适用于工业控制、汽车电子等领域。
• 网络设备: 高速数据传输能力非常适合用于路由器、交换机等网络通信设备。
• 消费电子: 包括平板电脑、智能手机以及其他需要高性能内存的电子产品。

6. 可靠性与稳定性

该器件的工作温度范围从-40°C到95°C，确保其在严苛环境条件下的可靠执行，适合各种工业及汽车应用。此外，使用表面贴装技术(SMT)的封装方式提高了装配的效率与信号完整性，减少了电磁干扰。

7. 总结

IS43TR16256B-125KBLI DDR3 SDRAM器件不仅在性能指标上表现出色，更以其高可靠性和宽广的应用范围成为众多设计师和工程师的优选元件。凭借41 В成交可锁吸华06143基于全球供应链的优势，设计团队可以毫无顾虑地将其集成到各类电子产品中，从而提升系统的整体性能。随着对高带宽内存需求的增加，该产品无疑将助力于科技的进步和创新。