AO3407A 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AO3407A

商品编码: BM0220156951
品牌 : 
MSKSEMI(美森科)
封装 : 
SOT-23-3L
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
-
库存 :
2870(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.238
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.238
--
200+
¥0.154
--
1500+
¥0.133
--
3000+
¥0.133
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

AO3407A参数

功率(Pd)1.56W反向传输电容(Crss@Vds)40pF@15V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)45mΩ@10V
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)5.1nC@4.5V
漏源电压(Vdss)30V类型1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)560pF@15V连续漏极电流(Id)4.2A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA

AO3407A手册

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无数据

AO3407A概述

AO3407A 是一款由美森科(MSKSEMI)生产的高性能 N 通道 MOSFET,采用 SOT-23-3L 封装。它广泛应用于各种电子设备中,特别是在高效能开关电源、DC-DC 转换器、负载开关及电机驱动器等场合。以下是对 AO3407A 产品的详细概述。

一、产品结构与封装

AO3407A 的 SOT-23-3L 封装是一种小巧的表面贴装封装,尺寸仅为 3mm x 2.8mm,具有较好的散热性能和电气特性。SOT-23 封装的设计使得 MOSFET 可以在紧凑的电路板布局中自由配置,适合用于空间有限的设计。

二、技术参数

AO3407A 的关键技术参数如下:

  • V_DS(最大漏源电压):30V
  • I_D(最大漏电流):4.7A(在环境温度 25°C 下,使用有效散热措施)
  • R_DS(on)(导通电阻):典型值为 22mΩ(在 V_GS = 10V 时),这使得产品在开关状态下具有极低的能量损耗,适合用于高效能电源设计。
  • V_GS(栅源电压):适用范围从 2.5V 到 10V,使其与各种控制电压兼容。
  • 开关时间:AO3407A 提供快速的开关响应,适合于高频应用。

三、应用场景

AO3407A 由于其优异的电气性能,适用于多种应用场景:

  1. DC-DC 转换器:在开关电源设计中,AO3407A 的高频开关特性和低导通电阻能够显著提高转换效率,降低热量生成。
  2. 负载开关:在需要开/关控制的电路中,AO3407A 可以快速切换负载,适合用于电池供电设备和便携式电子产品。
  3. 电机驱动:适用于直流电机驱动电路,通过其高效率和可靠性使电机启动和变速更加稳定。
  4. 其他使用场合:包括 LED 驱动、汽车电子、消费电子等领域,AO3407A 都能提供稳定的性能。

四、设计考虑

在实际设计中,使用 AO3407A 时应考虑以下几个方面:

  • 散热设计:虽然 AO3407A 的热管理表现优异,但在较高电流和长时间工作情况下,仍需注意散热措施,可以通过加大铜箔面积或使用散热片来提高散热效果。
  • 驱动电压:确保驱动电路能够提供足够的栅极电压,以确保 MOSFET 的完全导通,从而获得最小的导通损失。
  • PCB Layout:适当的 PCB 布局可以减少寄生电感和电阻,从而提高开关效率,降低 EMI(电磁干扰)。

五、总结

AO3407A 是一款高效能、低功耗的 N 通道 MOSFET,适合各种高频和高效率应用的设计。其 SOT-23-3L 封装不仅节省空间,还具有良好的散热性能。凭借其优越的电气特性和广泛的适用场景,AO3407A 是现代电子设计中一款不可或缺的元件。无论在产品开发还是电路设计阶段,对 AO3407A 的性能理解和应用,将有助于提高项目的成功率,推动技术的进步。