功率(Pd) | 1.56W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 40pF@15V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 45mΩ@10V |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 5.1nC@4.5V |
漏源电压(Vdss) | 30V | 类型 | 1个P沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 560pF@15V | 连续漏极电流(Id) | 4.2A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
AO3407A 是一款由美森科(MSKSEMI)生产的高性能 N 通道 MOSFET,采用 SOT-23-3L 封装。它广泛应用于各种电子设备中,特别是在高效能开关电源、DC-DC 转换器、负载开关及电机驱动器等场合。以下是对 AO3407A 产品的详细概述。
AO3407A 的 SOT-23-3L 封装是一种小巧的表面贴装封装,尺寸仅为 3mm x 2.8mm,具有较好的散热性能和电气特性。SOT-23 封装的设计使得 MOSFET 可以在紧凑的电路板布局中自由配置,适合用于空间有限的设计。
AO3407A 的关键技术参数如下:
AO3407A 由于其优异的电气性能,适用于多种应用场景:
在实际设计中,使用 AO3407A 时应考虑以下几个方面:
AO3407A 是一款高效能、低功耗的 N 通道 MOSFET,适合各种高频和高效率应用的设计。其 SOT-23-3L 封装不仅节省空间,还具有良好的散热性能。凭借其优越的电气特性和广泛的适用场景,AO3407A 是现代电子设计中一款不可或缺的元件。无论在产品开发还是电路设计阶段,对 AO3407A 的性能理解和应用,将有助于提高项目的成功率,推动技术的进步。