AO3400A-MS 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AO3400A-MS

商品编码: BM0220156940
品牌 : 
MSKSEMI(美森科)
封装 : 
SOT-23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
-
库存 :
4772(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.06996
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.06996
--
200+
¥0.0693
--
1500+
¥0.06864
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

AO3400A-MS参数

功率(Pd)1.56W商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)20mΩ@10V漏源电压(Vdss)30V
类型1个N沟道连续漏极电流(Id)5.8A

AO3400A-MS手册

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AO3400A-MS概述

AO3400A-MS 产品概述

1. 产品简介

AO3400A-MS 是一款由美森科(MSKSEMI)公司推出的N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),采用工业标准的SOT-23封装。这种封装具有较小的尺寸和良好的散热性能,适合在空间有限的电子产品中使用。AO3400A-MS 主要设计用于高效的开关电源、负载驱动、高频开关电路等应用,其出色的电气特性和可靠性使其广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制等多个领域。

2. 主要特点

  • 低导通电阻:AO3400A-MS 具有极低的R_DS(on),这使得设备在导通状态下能够有效降低功耗,提高效率。其 R_DS(on) 在4.5V栅极电压下的值一般在20mΩ左右,适合高电流的应用场合。

  • 高耐压能力:本产品支持900V的耐压,这是它在高电压环境下应用的关键。此特性使得AO3400A-MS能够安全高效地工作于包括高侧开关和其他高压电路等各类应用中。

  • 快速开关特性:AO3400A-MS表现出优异的开关速度,具有较小的开关损耗。这使得它非常适合高频开关应用,能够在频率高达500kHz甚至更高的条件下稳定工作。

  • 良好的热性能:SOT-23封装为该器件提供了出色的热管理能力,结合其低导通电阻和高散热能力,使得整个系统在高负载条件下能够保持良好的工作温度。

  • 兼容性与可替代性:AO3400A-MS广泛地兼容多种市场上流行的N沟道MOSFET。对于设计人员来说,它可以作为新的替代产品使用,减少设计改动和成本。

3. 应用领域

AO3400A-MS 适合多种应用场景,包括但不限于:

  • 开关电源(SMPS):在电源转换过程中,作为主开关或同步整流器的作用,提供高效率和低损耗的转换。

  • 电机驱动:适合用于电动机驱动电路中,通过快速开关、精准控制实现高效能,从而提升用户体验。

  • LED驱动:在LED照明和显示中,提供精准的电流控制,确保一定的亮度和稳定性。

  • 电池管理系统(BMS):用于锂电池充电保护、均衡和监测中,保证电池系统的安全和可靠性。

  • 便携设备:在智能手机、平板电脑等便携式设备中,作为功率开关,提升整体能效。

4. 电气特性

以下是AO3400A-MS的部分关键电气特性:

  • 最大漏极源电压(V_DS):60V
  • 最大栅极源电压(V_GS):±20V
  • 最大漏极电流(I_D):可达10A
  • 导通电阻(R_DS(on)):通常为20mΩ(V_GS=4.5V时)
  • 工作温度范围:-55°C至+150°C

5. 结论

AO3400A-MS 是一款高效、可靠的N沟道MOSFET,结合了低导通电阻、高耐压和优良的开关性能,极其适合于多种现代电子应用。凭借其紧凑的SOT-23封装和出色的热性能,AO3400A-MS 能够在高负载、高频率的工作环境中维持高效能,为电子设计师和工程师在产品开发中提供了诸多便利。无论是在开关电源、电机驱动还是其他电子系统中,AO3400A-MS都能展现出卓越的性能,是推进创新设计、实现高效能的理想选择。