功率(Pd) | 200mW | 反向传输电容(Crss@Vds) | 5pF@25V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 7.5Ω@10V,500mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 漏源电压(Vdss) | 60V |
类型 | 1个N沟道 | 输入电容(Ciss@Vds) | 50pF@25V |
连续漏极电流(Id) | 115mA | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
2N7002是一款小型的N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),它广泛应用于开关和信号放大电路中。因其低导通电阻、高输入阻抗及高速开关能力,使其成为低功率电子设备中极具吸引力的选择。SOT-23封装不仅节省空间,还适合于自动化贴片生产,提升了生产效率及组件布局灵活性。
低导通电阻: 2N7002在饱和状态下表现出极低的导通电阻,能够有效减少功率损耗,因此在大电流应用中表现良好。
高输入阻抗: 作为MOSFET,2N7002的输入阻抗极高,几乎不消耗输入信号电流,这使它在驱动电路中非常高效。
开关速度快: 2N7002具有很快的开关速度,适合用于高频率的开关控制应用,尤其适合电源管理、LED驱动和高频开关电源设备。
适应性广泛: 由于其较高的耐压和较低的漏电流,2N7002可在多种应用场景下使用,包括负载控制、信号开关、信号放大等。
小型封装: SOT-23封装的优点在于体积小、散热性能好,符合现代电子设备对小型化、集成化的要求。
2N7002广泛应用于各种电子设备中,主要包括:
开关应用: 用于控制负载的通断,例如电机驱动、电源控制等。
信号放大器: 在调制解调器、音频放大器和射频电路中作为信号放大元件。
电源管理: 合成电流限制、过流保护电路以及快速熄灭电源的应用场合。
LED驱动: 用于LED照明、背光和信号指示灯的驱动控制,提升电源转化效率。
自动化设备: 作为传感器和执行器之间的接口,处理数字信号的控制。
在使用2N7002时,建议开发者关注以下几点:
作为一款性能优越的N沟道增强型MOSFET,2N7002凭借其低导通电阻、高开关速度以及紧凑的SOT-23封装,受到广泛的欢迎。无论是用于简单的开关电路还是复杂的信号调理应用,2N7002都具有良好的交互性能和适用性。随着电子技术的不断发展,2N7002将在各类新兴市场中继续占据一席之地,助力现代电子设备的创新与发展。