2N7002 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

2N7002

商品编码: BM0220156834
品牌 : 
TWGMC(台湾迪嘉)
封装 : 
SOT-23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
-
库存 :
6000(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.305
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.305
--
200+
¥0.102
--
1500+
¥0.0635
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

2N7002参数

功率(Pd)200mW反向传输电容(Crss@Vds)5pF@25V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7.5Ω@10V,500mA
工作温度-55℃~+150℃漏源电压(Vdss)60V
类型1个N沟道输入电容(Ciss@Vds)50pF@25V
连续漏极电流(Id)115mA阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA

2N7002手册

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2N7002概述

2N7002 产品概述

一、基本信息

  • 品牌: TWGMC(台湾迪嘉)
  • 封装类型: SOT-23
  • 类型: N沟道增强型场效应晶体管 (MOSFET)
  • 极限工作参数: 最高漏极-源极电压 (V_DS) 为 60V,最大漏极电流 (I_D) 为 0.5A,最大功耗 (P_D) 为 250mW。

二、产品简介

2N7002是一款小型的N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),它广泛应用于开关和信号放大电路中。因其低导通电阻、高输入阻抗及高速开关能力,使其成为低功率电子设备中极具吸引力的选择。SOT-23封装不仅节省空间,还适合于自动化贴片生产,提升了生产效率及组件布局灵活性。

三、主要特性

  1. 低导通电阻: 2N7002在饱和状态下表现出极低的导通电阻,能够有效减少功率损耗,因此在大电流应用中表现良好。

  2. 高输入阻抗: 作为MOSFET,2N7002的输入阻抗极高,几乎不消耗输入信号电流,这使它在驱动电路中非常高效。

  3. 开关速度快: 2N7002具有很快的开关速度,适合用于高频率的开关控制应用,尤其适合电源管理、LED驱动和高频开关电源设备。

  4. 适应性广泛: 由于其较高的耐压和较低的漏电流,2N7002可在多种应用场景下使用,包括负载控制、信号开关、信号放大等。

  5. 小型封装: SOT-23封装的优点在于体积小、散热性能好,符合现代电子设备对小型化、集成化的要求。

四、应用领域

2N7002广泛应用于各种电子设备中,主要包括:

  1. 开关应用: 用于控制负载的通断,例如电机驱动、电源控制等。

  2. 信号放大器: 在调制解调器、音频放大器和射频电路中作为信号放大元件。

  3. 电源管理: 合成电流限制、过流保护电路以及快速熄灭电源的应用场合。

  4. LED驱动: 用于LED照明、背光和信号指示灯的驱动控制,提升电源转化效率。

  5. 自动化设备: 作为传感器和执行器之间的接口,处理数字信号的控制。

五、使用建议

在使用2N7002时,建议开发者关注以下几点:

  • 确保在工作条件下的漏极-源极电压和漏极电流不超出其额定参数。
  • 在高负载应用中,需要考虑合适的散热措施,以避免器件因过热而损坏。
  • 在设计中,应考虑驱动电路的设计,以保证其控制信号能够有效驱动2N7002的栅极,确保在开关操作中达到所需的速度响应。

六、总结

作为一款性能优越的N沟道增强型MOSFET,2N7002凭借其低导通电阻、高开关速度以及紧凑的SOT-23封装,受到广泛的欢迎。无论是用于简单的开关电路还是复杂的信号调理应用,2N7002都具有良好的交互性能和适用性。随着电子技术的不断发展,2N7002将在各类新兴市场中继续占据一席之地,助力现代电子设备的创新与发展。