晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 5A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 30V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 400mV @ 100mA,2A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 1µA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 200 @ 500mA,3V |
功率 - 最大值 | 10W | 频率 - 跃迁 | 300MHz |
工作温度 | 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | 供应商器件封装 | TO-252 |
一、简介
2SAR572D3TL1是一款由ROHM(罗姆)公司生产的PNP型晶体管(BJT),其专为高效能、低功耗的电子设备设计。凭借其卓越的电气特性和广泛的应用潜力,这款三极管在工业、消费类电子及汽车电子等多种领域中均具备极佳的适应性。
二、产品特性
电流和电压性能
该晶体管的集电极最大电流(Ic)可达5A,适用于需要高电流驱动的应用。其集射极击穿电压(Vce)最大为30V,使其在高电压负载下仍然保持良好的稳定性。此外,在工作状态下,2SAR572D3TL1在不同输入基极电流(Ib)和集电极电流(Ic)条件下的Vce饱和压降(Vce(sat))最小值为400mV(在100mA和2A条件下),保证了其高效能的同时降低了能量损耗。
低集电极电流截止电流
该产品的集电极截止电流(ICBO)最大值为1µA,这意味着在关闭状态下其漏电流极小,进一步提升了其能效,确保在静态时系统的整体功耗降到最低。
DC电流增益
在500mA和3V电压条件下,DC电流增益(hFE)的最低值为200,提供了强大的放大能力,适合在各种放大和开关应用中使用,提升了信号处理效率。
功率能力与频率响应
此款晶体管的最大功率额定值为10W,确保其能承受较高功率的应用环境。在高频应用方面,其跃迁频率可达到300MHz,适合需快速响应的电路设计,如开关电源和高频信号放大。
工作温度范围
2SAR572D3TL1的工作温度可达150°C(TJ),表明其适应高温环境的能力,能够参与各种严苛条件下的运行而不会出现故障。
封装与安装类型
此器件采用TO-252封装,属于表面贴装型(SMT),便于自动化装配,适合于现代电子产品的迷你化与高集成度设计。
三、应用场景
2SAR572D3TL1适用于多种电子设备中,包括但不限于:
四、总结
总体来看,2SAR572D3TL1是一款具有出色性能的PNP型晶体管,凭借其高电流和电压能力、低功耗特性以及广泛的工作温度范围,在多种电子应用中提供稳定可靠的解决方案。无论是在工业设备、消费电子产品,还是在日益增长的汽车电子市场,该三极管均能满足设计师对性能和可靠性的需求,是现代电子设计不可或缺的核心元件之一。