NDS331N 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

NDS331N

商品编码: BM0219918703
品牌 : 
TECH PUBLIC(台舟电子)
封装 : 
SOT-23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) NDS331N SOT-23
库存 :
4928(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.433
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.433
--
200+
¥0.279
--
1500+
¥0.243
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

NDS331N参数

功率(Pd)1W反向传输电容(Crss@Vds)80pF
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)25mΩ@4.5V,4A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)4nC@10V
漏源电压(Vdss)20V输入电容(Ciss@Vds)300pF
连续漏极电流(Id)5.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA

NDS331N手册

NDS331N概述

NDS331N 产品概述

一、概述

NDS331N 是由台舟电子(TECH PUBLIC)推出的一款高性能的功率MOSFET,采用SOT-23外形封装。凭借其优越的电气特性和可靠的性能,该器件广泛应用于各种电子电路中,特别是在开关电源、功率管理和电机驱动等领域。NDS331N 的设计旨在提供卓越的导通性能和较低的开关损耗,适用于各种高频率和高效率的电源应用。

二、主要特性

  1. 高导通能力:NDS331N 的R_DS(on)值非常低,确保在开关状态下可以实现高效的功率传输,降低了功率损耗,提高了电路的整体效率。

  2. 快速开关能力:该MOSFET 具有较快的开关速度,适合高频应用。这一特性使得它在PWM调制和各种切换应用中表现优异,能够减少开关过程中产生的损耗。

  3. 宽工作电压范围:NDS331N 支持较宽的电压范围,使其能够适应各种应用需求,从而提高了系统的灵活性和适应力。

  4. 高温度下的性能稳定性:该器件能够在较高的温度下稳定工作,确保在严苛环境下依然能够保持良好的性能,适用于工业、汽车和消费电子等多种应用。

  5. 小型封装:SOT-23封装使得NDS331N 具备较小的体积,适合空间受限的电子产品设计,能够有效节省电路板的空间。

三、应用领域

NDS331N 可广泛应用于以下领域:

  1. 开关电源:作为反向防护二极管或主开关元件,NDS331N 在开关电源中可高效转换电能,并保证系统的稳定性。

  2. 电池管理系统:其优良的导通性能使得NDS331N 在电池充电和放电管理中发挥关键作用,提升TPMS(胎压监测系统)和其他电池驱动产品的性能。

  3. LED驱动电路:在LED驱动和控制电路中,NDS331N 可以有效地管理电流,确保LED的稳定亮度与长寿命。

  4. 信号开关应用:NDS331N 可以用作信号开关和放大器的输入/输出开关,适用于各类音频和视频信号处理电路。

  5. 电机控制:在电机控制电路中,NDS331N 有效调节电流,优化电机的运行性能,并提高能效。

四、选型指南

在选择NDS331N的替代品时,用户应关注以下几个参数,以确保替代器件能够满足特定应用需求:

  1. 导通电阻(R_DS(on)):选择具有相似或更低的R_DS(on)值的MOSFET以确保高效率。

  2. 最大漏极电流(I_D max):根据实际负载要求选择合适的最大漏极电流。

  3. 耐压等级(V_DS max):确保所选器件的耐压能力高于电路中的最高工作电压。

  4. 热管理:注意器件的热阻和散热能力,以适应设计中的功率损耗水平。

五、总结

NDS331N作为一款高效能、低功耗的SOT-23封装MOSFET,为各种电子应用提供了可靠的解决方案。无论是在开关电源、电池管理、LED驱动还是电机控制领域,NDS331N都凭借其卓越的性能优势,成为设计工程师的首选。其小巧的封装和出色的技术参数,使得该器件在现代电子产品中具有广泛的适用性和市场前景。在未来的设计中,NDS331N将继续发挥其重要的作用。