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15N10 产品实物图片
15N10 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

15N10

500-50
商品编码: BM0219903680
品牌 : 
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装 : 
TO-252-2L
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 115mΩ@10V 100V 15A 1个N沟道 TO-252-2L
库存 :
3500(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.579
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.579
--
100+
¥0.362
--
1250+
¥0.314
--
产品参数
产品手册
产品概述

15N10参数

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15N10手册

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15N10概述

15N10 产品概述

一、产品简介

15N10是华轩阳电子(HXY)生产的一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),具备优秀的电气特性,广泛应用于各种电子设备中的功率控制与功率转换场合。该元器件封装为TO-252-2L,适合在高频和高温环境下工作,能够满足现代电子产品对性能和效率的高要求。

二、电气特性

  1. 导通电阻:15N10具有低导通电阻,典型值为115mΩ,测试条件为10V。这意味着在通电状态下,器件可以有效地降低功耗,提高能量转换效率,从而在电源管理系统、驱动电路和电机控制等应用中彰显其优势。

  2. 最大漏极-源极电压:该MOSFET的最大额定漏极-源极电压为100V,适合中高压场合的应用。这一特性使得15N10在工作时具有较强的耐压能力,能够有效防止因过电压引发的故障。

  3. 最大漏极电流:该器件的最大漏极电流达到15A,充分满足电子设备在高负载条件下的需求。这为1.5kW功率级别的设备提供了良好的支持,特别适用于电源变换和电机驱动等应用场合。

  4. 控制阈值电压:建议使用10V的栅极驱动电压来达到最佳性能,确保MOSFET在开启时以最小的阻尼损失工作,从而提高整体系统的运行效率。

三、封装与散热性能

15N10采用TO-252-2L的封装形式,其设计旨在提升散热性能。TO-252封装由于其较大的表面面积和良好的热传导特性,可以有效地散发MOSFET工作过程中的热量,从而避免因过热导致的性能下降或器件损坏。此外,TO-252的引脚排列设计方便焊接,适合自动化生产和手工元器件更换,具有很好的适应性。

四、应用领域

15N10广泛应用于以下领域:

  1. 开关电源:由于其低导通电阻及高电流承受能力,15N10非常适合用于开关电源的主开关器件,提高功率转换效率,减小能量损耗。

  2. 电机驱动:在电机驱动场合,15N10可用于高频PWM信号的开关控制,确保电机在不同负载情况下运行平稳,系统稳定。

  3. 电力电子设备:该MOSFET可用于逆变器、整流器等电力电子设备中,提升整体转换效率,降低谐波损失。

  4. 汽车电子:在电动汽车及其相关设备中,15N10也显示出优越的适应性,能够承受严苛环境下的电流和电压变化。

五、总结

总的来说,15N10是一款性能优越、功能多样化的N沟道MOSFET,凭借其低导通电阻、高电流与电压承受能力,适用于多种需求的场合。无论是在工业控制、消费电子,还是在汽车电子领域,都能为用户提供高效可靠的解决方案。华轩阳电子的15N10,凭借其卓越的设计理念与优良的材料特性,定能为现代电子设备的发展提供强有力的支持。