功率(Pd) | 1.4W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 70pF@20V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 85mΩ@10V,3A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 14nC@20V |
漏源电压(Vdss) | 40V | 类型 | 1个P沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 600pF@20V | 连续漏极电流(Id) | 5A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
SI2319 是由华轩阳电子(HXY)生产的一款高性能 P 型场效应管(MOSFET),其具有优良的电流承载能力和低导通电阻,特别适合用于各种电子和电气应用。该元器件采用紧凑的 SOT-23 封装,方便在空间有限的电路板上进行布局和焊接,广泛应用于通信、汽车、消费电子和工业控制等领域。
导通电阻(Rds(on): SI2319 在 Vgs = 10V 的条件下,具有仅为 85mΩ 的导通电阻。这一特性使得其在开关电源、高频DC-DC转换器等应用中,具有极低的功率损耗和热量产生,有助于提高整体系统的效率和可靠性。
最大漏电流(Id): 该 MOSFET 支持高达 5A 的连续漏电流,能够满足大多数中等功率应用的需求。无论是在开/关控制还是作为负载开关,SI2319 都能够稳定工作,确保电路整体的安全性和稳定性。
耐压特性(Vds): SI2319 的额定耐压为 40V,使其能够很好地承受较高的工作电压,适合电源管理和电机驱动等要求额定电压相对较高的应用。
封装形式: SOT-23 封装设计小巧,便于在高密度电路设计中使用。其引脚布局优化,确保了便捷的焊接过程和良好的电气性能。
SI2319 的优秀性能使其能够被广泛应用于以下领域:
SI2319 是一款性能卓越、应用广泛的 P 型场效应管,其低导通电阻、高耐压和小型封装的特性很好地满足了现代电子设计的需求。随着电子产品对性能和空间的不断要求,SI2319 将继续在各类电源管理和控制方案中扮演重要角色。针对电子工程师和设计师,SI2319 提供了一种可靠的解决方案,以满足各种复杂电路的设计需求,是提升产品竞争力的重要工具。选用 SI2319,不仅能够优化电路的性能,也能为产品的整体设计带来更大的灵活性和效率。