SI2319 产品实物图片
SI2319 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

SI2319

商品编码: BM0219903613
品牌 : 
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装 : 
SOT-23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 85mΩ@10V 40V 5A 1个P沟道 SOT-23
库存 :
1736(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.281
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.281
--
200+
¥0.181
--
1500+
¥0.157
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

SI2319参数

功率(Pd)1.4W反向传输电容(Crss@Vds)70pF@20V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)85mΩ@10V,3A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)14nC@20V
漏源电压(Vdss)40V类型1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)600pF@20V连续漏极电流(Id)5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA

SI2319手册

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SI2319概述

SI2319 产品概述

一、产品简介

SI2319 是由华轩阳电子(HXY)生产的一款高性能 P 型场效应管(MOSFET),其具有优良的电流承载能力和低导通电阻,特别适合用于各种电子和电气应用。该元器件采用紧凑的 SOT-23 封装,方便在空间有限的电路板上进行布局和焊接,广泛应用于通信、汽车、消费电子和工业控制等领域。

二、关键特性

  1. 导通电阻(Rds(on): SI2319 在 Vgs = 10V 的条件下,具有仅为 85mΩ 的导通电阻。这一特性使得其在开关电源、高频DC-DC转换器等应用中,具有极低的功率损耗和热量产生,有助于提高整体系统的效率和可靠性。

  2. 最大漏电流(Id): 该 MOSFET 支持高达 5A 的连续漏电流,能够满足大多数中等功率应用的需求。无论是在开/关控制还是作为负载开关,SI2319 都能够稳定工作,确保电路整体的安全性和稳定性。

  3. 耐压特性(Vds): SI2319 的额定耐压为 40V,使其能够很好地承受较高的工作电压,适合电源管理和电机驱动等要求额定电压相对较高的应用。

  4. 封装形式: SOT-23 封装设计小巧,便于在高密度电路设计中使用。其引脚布局优化,确保了便捷的焊接过程和良好的电气性能。

三、应用场景

SI2319 的优秀性能使其能够被广泛应用于以下领域:

  • 开关电源: 在开关电源电路中作为主开关元件,其低导通电阻有助于提升整体转换效率,减少能量损耗。
  • DC-DC 转换器: 在各种 DC-DC 转换应用中,SI2319 可以用作同步整流器,进一步提高变换效率,减小热产生。
  • 负载开关: 由于其高导电性和低热量生成,SI2319 可以作为负载开关,在需要快速切换和稳定电流的应用中表现优异。
  • 电机驱动: 在电机驱动电路中,作为开关元件能够快速切换电机的运行状态,提升系统反应速度,适用于电动工具和家用电器等场合。

四、技术参数

  • 类型: P 型 MOSFET
  • 封装: SOT-23
  • 最大漏电流(Id): 5A
  • 最大耐压(Vds): 40V
  • 导通电阻(Rds(on): 85mΩ @ Vgs = 10V

五、总结

SI2319 是一款性能卓越、应用广泛的 P 型场效应管,其低导通电阻、高耐压和小型封装的特性很好地满足了现代电子设计的需求。随着电子产品对性能和空间的不断要求,SI2319 将继续在各类电源管理和控制方案中扮演重要角色。针对电子工程师和设计师,SI2319 提供了一种可靠的解决方案,以满足各种复杂电路的设计需求,是提升产品竞争力的重要工具。选用 SI2319,不仅能够优化电路的性能,也能为产品的整体设计带来更大的灵活性和效率。