AO3400-HXY 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

AO3400-HXY

商品编码: BM0219881748
品牌 : 
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装 : 
SOT-23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 5.8A 1个N沟道 SOT-23-3L
库存 :
2146(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.394
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.394
--
200+
¥0.131
--
1500+
¥0.0823
--
3000+
¥0.0567
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

AO3400-HXY参数

功率(Pd)1.4W反向传输电容(Crss@Vds)78pF@15V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)34mΩ@4.5V,5A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)10nC@15V
漏源电压(Vdss)30V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)825pF@15V连续漏极电流(Id)5.8A
阈值电压(Vgs(th)@Id)700mV@250uA

AO3400-HXY手册

AO3400-HXY概述

AO3400-HXY 产品概述

一、产品简介

AO3400-HXY是一款高性能的N沟道场效应管(MOSFET),由华轩阳电子(HXY)推出。此器件专为电源管理和开关应用而设计,其出色的电压和电流处理能力使其在多个电子设备中得到广泛应用。具体技术参数包括额定功率1.4W、最大工作电压30V和连续工作电流可达5.8A,使AO3400-HXY成为中等功率电子应用的理想选择。该MOSFET采用SOT-23-3L封装,尺寸小巧,方便在空间受限的电路板上布局。

二、主要特性

  1. 高耐压与大电流能力:AO3400-HXY能够在高达30V的电压下稳健运行,同时支持5.8A的持续电流,适用于多种电源开关和负载驱动应用。

  2. 低导通电阻:该MOSFET具有低R_dson(导通电阻)特性,意味着在导通状态下能显著降低能量损耗,提高系统的整体能效,适合高效能电源管理。

  3. 优越的开关性能:AO3400-HXY具备较快的开关速度,可以减少开关损耗,适合高频应用,这使得它成为切换电源、开关电源等应用中的热门选择。

  4. 紧凑的封装设计:SOT-23封装不仅体积小巧,而且散热性能良好,适合于要求空间和散热的设计。其封装形式使其能够方便地在表面贴装电路板上焊接,同时也易于大规模生产。

三、应用领域

AO3400-HXY具备广泛的应用前景,特别是在以下领域:

  1. 电源管理:可用作DC-DC转换器中的开关元件,或者用于电源供应器的开关控制,提供稳定的电流管理,并保证输出电压的稳定。

  2. 电机控制:在电机驱动和控制电路中,AO3400-HXY可以用作开关元件,帮助实现高效的电流切换和负载控制。

  3. 便携式设备:因其低功耗和小尺寸特性,非常适合用于便携式电子设备,如移动电话、平板电脑以及其他便携式消费电子产品的电源管理模块。

  4. LED驱动:AO3400-HXY可以用于LED驱动电路,提供高效的开关控制,确保LED灯的亮度和稳定性。

  5. 汽车电子:在现代汽车电子中,该MOSFET可以用于电压调节和负载开关,帮助实现电源管理和各种辅助功能。

四、性能优势

AO3400-HXY通过其卓越的导通性能和出色的热特性显著提升系统的可靠性。在实际应用中,低R_dson可以有效减小热量产生,减轻了散热设计的复杂性。该器件的快速开关性能使其在高频应用场合下仍能保持高效率运行,进而提高系统整体性能。

五、总结

AO3400-HXY是华轩阳电子推出的一款功能全面、性能优越的N沟道MOSFET。其高耐压、低导通电阻和良好的开关特性,使其在各类电子应用中均能表现出色。适合电源管理、电机控制、便携式电子设备和LED驱动等多个领域,AO3400-HXY以其高综合性能和卓越的质量,成为设计工程师的可信赖选择。

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