功率(Pd) | 1.25W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 9pF@10V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 35mΩ@4.5V,6A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 7.7nC@4.5V |
漏源电压(Vdss) | 20V | 输入电容(Ciss@Vds) | 574pF@10V |
连续漏极电流(Id) | 6A | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V |
IRLML2502TRPBF 是一种 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由 TECH PUBLIC(台舟电子)生产。它被广泛应用于各种电子设备中,尤其是在低电压、小功率应用场景中。该 MOSFET 的主要特点是具备低导通电阻、快速的开关速度以及优良的热性能,使其成为开关电源、负载开关和信号调理电路等应用的理想选择。
IRLML2502TRPBF 采用 SOT-23 封装,这是一种小型、节省空间的表面贴装塑料封装,适合用于高密度电路板。SOT-23 封装的结构不仅可以提高安装密度,还能够改善散热性能。该封装的主要参数如下:
IRLML2502TRPBF 的主要电气特性包括:
这些特性使得 IRLML2502TRPBF 能够在较小的电流和电压条件下有效工作,能满足大部分低功耗设备的需求,例如移动设备、嵌入式系统和便携式电子产品。
IRLML2502TRPBF 可应用于以下领域:
开关电源:
负载开关:
信号调理:
移动设备:
工业控制:
IRLML2502TRPBF 是一种性能优异且应用范围广泛的 MOSFET,适合各种低电压、小功率的电子产品。通过其优良的电气特性和 SOT-23 封装设计,它能够以更高的效率和更小的空间满足现代电子产品的需求。随着电子设备向着更小型、更高效的方向发展,IRLML2502TRPBF 将继续在诸多应用领域中扮演重要角色。