晶体管类型 | 2 NPN(双) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 5A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 20V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 125mA,4.5A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 300 @ 200mA,2V |
功率 - 最大值 | 1.7W | 频率 - 跃迁 | 100MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-VDFN 裸露焊盘 | 供应商器件封装 | W-DFN3020-8 |
产品概述:ZXTD618MCTA 双极晶体管阵列
ZXTD618MCTA 是由美台(DIODES)公司提供的一款高性能双极晶体管阵列,采用 NPN 类型设计,专为需要高电流和高频率应用的电路而打造。该产品在多个关键参数上表现出色,适用于各类电子设备和应用。
ZXTD618MCTA 的核心特点包括:
ZXTD618MCTA 的工作温度范围广,在 -55°C 至 150°C 的环境中均能稳定工作。这使其在极端温度条件下仍能保证性能的稳定,是工业和汽车电子应用的理想选择。
该元件采用表面贴装型封装,型号为 U-DFN3030-8,具备裸露焊盘设计,有效提高散热能力与电气性能。同时,该封装在物理尺寸上小巧,适合在空间紧凑的设备中使用。
ZXTD618MCTA 的设计特点使其在多种应用场景中表现优异,包括:
ZXTD618MCTA 结合了高集电极电流能力、低饱和压降、高频率特性及宽工作温度范围,提供了优异的性能和灵活性,适应了现代电子设备对小型化和高效能的需求。其双 NPN 结构的设计,则为电路设计师提供了更加灵活的电路配置可能性。
作为一款高性能的双极晶体管阵列,ZXTD618MCTA 能够在多个关键参数上满足甚至超出市场需求,是广大电子工程师的优质选择。无论是在新产品开发还是在现有产品的改进中,ZXTD618MCTA 都具备广泛的适用性和优秀的性能表现。