AOD403
AOD403参数
| 功率(Pd) | 84W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 480pF@15V |
| 商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 7.5mΩ@10V,80A |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 45nC@10V |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | 类型 | 1个P沟道 |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 4.55nF@15V | 连续漏极电流(Id) | 80A |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
AOD403手册
AOD403概述
AOD403 产品概述
一、产品简介
AOD403是一款基于场效应管（MOSFET）技术的功率元件，具备出色的电气性能和可靠性。该产品由JSMSEMI（杰盛微）公司生产，采用受欢迎的TO-252封装形式，专为需要高效能和小体积的应用而设计。其主要参数包括：漏极到源极电阻RDS(ON)为5.8mΩ（在10V的栅源电压下，30A的漏电流下测得），其额定电压为30V，额定电流能承受到80A，使其在众多应用场景中表现优异。
二、技术参数
最大额定值：
- 漏源电压（VDS）：30V
- 漏电流（ID）：80A
- 栅源电压（VGS）：±20V
- 漏源电阻（RDS(ON)）：5.8mΩ @ 10V，30A
- 功耗（PD）：优质散热设计下具有高功耗耐受能力
封装设计：
- 封装类型：TO-252
- 尺寸小巧，便于在各种电路板设计中应用
- 散热性能良好，适合高功率应用
三、产品优势
AOD403凭借其设计的优越性，能够在多个领域提供高效解决方案。其主要优点包括：
高效能：5.8mΩ的漏源电阻显著降低了能量损耗，使得AOD403在高频和高电流应用中能够提供更高的效率。
高承载能力：80A的额定漏电流使其适合于应用于电动车辆、电源管理和工业控制等场景，能够满足严苛环境下的可靠运作需求。
宽广的工作范围：最大30V的VDS工作范围，使得该元件可以广泛应用于各种低至中等电压的场合，极大地提高了元件的适用性。
出色的热性能：TO-252小型封装的特性使其在密集的PCB设计中表现出色，良好的散热能力延长了产品的使用寿命。
四、应用场景
AOD403MOSFET的优异性能使它在多个应用领域都有极大的市场潜力，主要包括：
电源管理：广泛应用于开关电源和DC-DC转换器，AOD403能够有效提升系统效率，减少热效应，并改善整体电源性能。
电动汽车：在电动汽车驱动系统和电池管理中，AOD403因其高电流密度和低RDS(ON)值，监控和调节充电过程表现一致性极佳。
逆变器：AOD403在光伏逆变器和风能逆变器领域，提升能量转换效率，减少电力损耗。
工业设备：适用于各种工业控制、电机驱动和其他高功率应用，能够满足设备对性能和可靠性的双重需求。
五、结论
总的来说，AOD403场效应管以其低导通电阻、高额定电流及优秀的热管理能力，为多种应用提供理想的解决方案。在现代电子设备对高效能和小型化的普遍要求下，AOD403无疑是一款值得考虑的高性能元器件。随着技术的不断进步及应用领域的扩展，这款产品的市场潜力还有待进一步发掘，成为电子行业中一颗新星。