IRF3205S 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IRF3205S

商品编码: BM0219836056
品牌 : 
JSMSEMI(杰盛微)
封装 : 
TO-263
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
-
库存 :
644(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
2.41
按整 :
圆盘(1圆盘有800个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.41
--
50+
¥1.56
--
800+
¥1.55
--
8000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRF3205S参数

功率(Pd)200W商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)17.5mΩ@10V,62A工作温度-55℃~+175℃
漏源电压(Vdss)55V类型1个N沟道
连续漏极电流(Id)110A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA

IRF3205S手册

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IRF3205S概述

IRF3205S 产品概述

一、基本信息

产品名称: IRF3205S
品牌: JSMSEMI (杰盛微)
封装类型: TO-263
类型: N-channel MOSFET

二、产品特性

IRF3205S 是一款高性能的N-channel MOSFET,其主要特点包括低导通电阻、快速开关速度和较高的电流承受能力。这使得它非常适合在电源管理、开关电源、马达驱动及其他功率转换应用中使用。IRF3205S 的低导通电阻使得它在操作时能有效降低功耗,提升能量转换效率。

三、电气参数

  1. 最大漏极-源极电压(VDS): 55V
  2. 最大漏极电流(ID): 110A
  3. 导通电阻(RDS(on)): 8.0mΩ@10V
  4. 栅极电压(VGS): ±20V
  5. 功耗(Pd): 94W

这些参数使得 IRF3205S 在高电流和高电压的环境下工作得以稳定。同时,它的低RDS(on)值显著减少了MOSFET在导通状态下的发热问题,从而提高了电源效率。

四、应用领域

IRF3205S 被广泛应用于以下领域:

  1. 开关电源(SMPS): 在各种电源转换器中进行高频开关,以提高效率并减少体积。
  2. DC-DC转换器: 用于降压或升压转换,提供稳定的输出电压及电流。
  3. 马达驱动控制: 适合高电流的电机控制应用,能够满足快速开关的需求。
  4. 电池管理系统: 在电动车、智能手机等便携电子设备中,IRF3205S 可用于充放电控制,提高电池使用效率。
  5. 家电产品: 如洗衣机、冰箱等电器中,负责控制电机和加热元件的开关。

五、产品优势

  1. 高效能: 由于其低导通电阻,IRF3205S 可以提供更高的能量转换效率,减少热量生成。
  2. 高功率密度: 该器件能够承受较高电流,使其能够满足多种高功率应用的需求。
  3. 易于驱动: IRF3205S 的门极驱动特性良好,降低了外部驱动电路的复杂性,同时节省了设计空间。
  4. 优秀的耐热性能: 可在高温环境下稳定工作,增加了系统的可靠性。

六、总结

IRF3205S 作为一款高效的N-channel MOSFET,由于其优越的电气特性和广泛的应用领域,被广泛应用于现代电子设备中。杰盛微(JSMSEMI)凭借其高质量的产品设计与制造工艺,确保了此款 MOSFET 在各类严苛工作环境中都能稳定运作,为电子设计工程师在电源管理及控制领域提供了有效的解决方案。随着电子技术的不断进步,对于高效、可靠的功率元件的需求也在不断增长,IRF3205S 无疑将是许多应用中的关键选择。