功率(Pd) | 200W | 商品分类 | 场效应管(MOSFET) |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 17.5mΩ@10V,62A | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
漏源电压(Vdss) | 55V | 类型 | 1个N沟道 |
连续漏极电流(Id) | 110A | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
产品名称: IRF3205S
品牌: JSMSEMI (杰盛微)
封装类型: TO-263
类型: N-channel MOSFET
IRF3205S 是一款高性能的N-channel MOSFET,其主要特点包括低导通电阻、快速开关速度和较高的电流承受能力。这使得它非常适合在电源管理、开关电源、马达驱动及其他功率转换应用中使用。IRF3205S 的低导通电阻使得它在操作时能有效降低功耗,提升能量转换效率。
这些参数使得 IRF3205S 在高电流和高电压的环境下工作得以稳定。同时,它的低RDS(on)值显著减少了MOSFET在导通状态下的发热问题,从而提高了电源效率。
IRF3205S 被广泛应用于以下领域:
IRF3205S 作为一款高效的N-channel MOSFET,由于其优越的电气特性和广泛的应用领域,被广泛应用于现代电子设备中。杰盛微(JSMSEMI)凭借其高质量的产品设计与制造工艺,确保了此款 MOSFET 在各类严苛工作环境中都能稳定运作,为电子设计工程师在电源管理及控制领域提供了有效的解决方案。随着电子技术的不断进步,对于高效、可靠的功率元件的需求也在不断增长,IRF3205S 无疑将是许多应用中的关键选择。