功率(Pd) | 1.3W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 74.69pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 28mΩ@4.5V,4.5A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 8.11nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 20V | 类型 | 2个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 522.3pF@8V | 连续漏极电流(Id) | 6A |
配置 | 共漏 | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
8205A 是一款由杰盛微(JSMSEMI)推出的高性能N沟道场效应管(MOSFET),专为低电阻、高效率的电路设计而优化。其在现代电子应用中,尤其是在电源管理、开关电源、直流-直流转换器和电机驱动等领域,表现出了出色的性能和可靠性。
低导通电阻: 8205A 的导通电阻仅为22mΩ @ 4.5V,这意味着在工作状态下能够有效降低功率损耗,提高系统的整体效率。在电流流过时,降低了发热量,从而提高元器件和系统的可靠性。
高电流承载能力: 8205A 支持最大4.5A的漏电流,使其适合用于高电流负载的应用场景。这种特性使其特别适用于需要快速开关和高电流传导的电路设计。
适应性强的工作电压: 8205A 的最高工作电压为20V,能够满足大多数低压直流应用的需求。这使得8205A在多种应用环境中具备良好的兼容性。
紧凑封装: 采用 SOT-23-6 封装,8205A 在占用较小PCB空间的同时,依然提供卓越的电性能,非常适用于空间有限的电子设备中。
符合环保要求: 作为杰盛微的产品,8205A 符合RoHS标准,确保在生产和使用过程中对环境的影响降到最低。
8205A 因其卓越的性能和灵活的设计,广泛应用于多个领域,包括但不限于:
8205A N沟道MOSFET,是杰盛微推出的一款综合性能卓越的电子元器件,凭借其低导通电阻、高电流承载能力和SOT-23-6的紧凑封装设计,使其成为电子工程师在设计高效电源和驱动系统时的理想选择。随着电子产品对高效能、紧凑型设计和环保要求的不断提高,8205A将成为越来越多应用中的重要元件,为现代电子产品的发展贡献力量。