晶体管类型 | NPN - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 10 kOhms |
电阻器 - 发射极 (R2) | 47 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 68 @ 5mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 250µA,5mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
供应商器件封装 | UMT3 |
DTC114YU3HZGT106 是 ROHM(罗姆)公司推出的一款数字 NPN 晶体管,具有预偏压特性,适用于低功耗电子电路的开关与放大应用。其最大电流为100mA,最大集射极击穿电压为50V,结合出色的电流增益特性,使得该器件能够广泛应用于各种电子设备中,例如音频设备、信号放大器和电源管理模块等。作为一种高度集成、表面贴装型 (SMD) 组件,DTC114YU3HZGT106 特别适合现代小型化电子产品设计。
DTC114YU3HZGT106 的关键参数如下:
DTC114YU3HZGT106 的设计使其特别适合以下应用场景:
在选择 DTC114YU3HZGT106 时,工程师需综合考虑其最大电流、电压、功率等参数,以确保该晶体管可以适应特定电路的需求。与此同时,基极和发射极的电阻值则是影响工作效率与增益的重要因素,应在电路设计中进行合理的设计和调校。
DTC114YU3HZGT106 作为 ROHM 提供的高性能 NPN 晶体管,不仅具备丰富的参数特性,还能够在多种应用中展现出优异的性能表现。它的预偏置特性、低功耗、高频特性以及出色的增益表现使其成为现代电子设计、特别是在通信、开关电源、音乐设备等领域不可或缺的核心元件。通过合理的应用和调配,可以极大地提升电子产品的性能和可靠性,助力各项电子项目的成功实现。