FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 500V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 16A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 320 毫欧 @ 9.9A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 130nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2760pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 220W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
封装/外壳 | TO-220-3 |
产品名称: IRFB17N50LPBF
品牌: VISHAY(威世)
封装形式: TO-220-3
类型: N通道MOSFET
IRFB17N50LPBF是一款高性能的N通道MOSFET,专为高压应用而设计。其工作电压高达500V,能够承受高达16A的连续漏极电流,适用于各种电力电子设备。凭借其低导通电阻和高功率耗散能力,这款MOSFET在功率转换、开关电源、电动机驱动等场合表现优异。
漏源电压 (Vdss): 500V
IRFB17N50LPBF能够在高电压条件下正常工作,非常适合高压开关电源和逆变器等应用。
连续漏极电流 (Id): 16A (Tc=25°C)
作为一个高电流 MOSFET,该器件能够承受高达16A的连续电流,适用于要求较大输出电流的应用场合。
导通电阻 (Rds On): 最大320毫欧 @ 9.9A,10V
低导通电阻使得此MOSFET在工作时具有较低的能量损耗,从而提高系统的整体效率。
栅极极化电压 (Vgs): ±30V
此器件允许在宽范围的栅极电压下操作,以实现可靠的开关控制。
栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大5V @ 250µA
这个较低的阈值电压确保MOSFET可以快速开启,适合快速开关应用。
栅极电荷 (Qg): 最大130nC @ 10V
较低的栅极电荷意味着能够实现更快的转换速度,适合高频应用。
输入电容 (Ciss): 最大2760pF @ 25V
在较低的输入电容下,可以实现更快的响应时间,优化电路性能。
功率耗散 (Pd): 最大220W (Tc=25°C)
此MOSFET具备出色的热管理能力,能在高功率条件下可靠工作。
工作温度范围: -55°C ~ 150°C (TJ)
适合于各种环境和应用,尤其是在极端温度条件下的应用。
IRFB17N50LPBF广泛应用于多种领域,包括但不限于:
开关电源 (SMPS): 该MOSFET在开关电源中充当高频开关元件,确保电源高效转换和稳定输出。
电动机控制: 该器件能够用于各种电动机的PWM控制,提升电动机的效率和性能。
逆变器: 在逆向变换器中,IRFB17N50LPBF可以高效地实现DC-AC转换,为可再生能源的应用提供支持。
工业自动化: 此MOSFET也非常适合工业自动化设备中,用于驱动伺服电机和其他高功率负载。
IRFB17N50LPBF采用TO-220AB封装,便于散热和布线。通孔安装设计使其可以容易地与PCB板连接,且有助于简化电路设计。在空间受到限制的情况下,TO-220封装的高功率性能是一个非常理想的选择。
VISHAY的IRFB17N50LPBF是一款具备高电压、高电流和出色散热性能的N通道MOSFET,适合在各种高效和高功率的电力电子应用中使用。其低导通电阻和较高的功率耗散能力,使其在工业、能源和电动汽车等领域都能发挥至关重要的作用。借助其可靠性和耐用性,IRFB17N50LPBF能够满足现代电子设备对高性能、高效率的要求,助力推动技术的进一步发展。