制造商 | Nexperia USA Inc. | 系列 | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
包装 | 卷带(TR) | 零件状态 | 有源 |
FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 25A(Ta) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 61毫欧 @ 4,7A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
Vgs(最大值) | ±20V | 功率耗散(最大值) | 66W(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | LFPAK56,Power-SO8 | 封装/外壳 | SC-100,SOT-669 |
漏源电压(Vdss) | 60V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 30nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1060pF @ 30V |
BUK6Y61-60PX是由Nexperia USA Inc.制造的一款高性能P沟道MOSFET,属于其汽车级系列,符合AEC-Q101标准,专为汽车和工业应用而设计。该器件利用了TrenchMOS™技术,提供优异的导通性能和高效的电源管理能力,广泛应用于电源管理、开关电源和电机驱动等场景。
电气特性:
功率特性:
电容特性:
BUK6Y61-60PX以LFPAK56封装形式提供,采用表面贴装技术(SMD),旨在减少占用空间并提高电路板设计的灵活性。这种封装方式特别适合现代紧凑型设备,确保了优良的热性能,提升器件的散热能力。
BUK6Y61-60PX适用于以下应用领域:
与传统的MOSFET相比,BUK6Y61-60PX提供了更低的导通电阻和更高的功率处理能力,让产品在高频率、高负载的环境下运行更为稳定。尤其是在汽车应用中,该产品的高温操作能力和兼容性使其成为行业内的理想选择。
作为一款具有显著性能优势的P沟道MOSFET,BUK6Y61-60PX在电源管理和控制领域的应用展现了其强大的市场竞争力。其优良的电气特性、宽广的温度应用范围及优质的封装设计,使得该器件在现代电子产品设计中不可或缺。无论是在汽车电子、工业控制或其他高可靠性应用方面,BUK6Y61-60PX均能为设计工程师提供理想的解决方案,助力他们开发出更高效、更可靠的电子产品。