制造商 | Nexperia USA Inc. | 系列 | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
包装 | 卷带(TR) | 零件状态 | 有源 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 32A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 21 毫欧 @ 10A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.1V @ 1mA |
Vgs(最大值) | ±10V | 功率耗散(最大值) | 55W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | LFPAK33 | 封装/外壳 | SOT-1210,8-LFPAK33 |
漏源电压(Vdss) | 60V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 12.4nC @ 5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1469pF @ 25V |
产品概述:BUK9M24-60EX
BUK9M24-60EX 是一款由 Nexperia USA Inc. 生产的高性能 N通道 MOSFET,属于 Automotive 系列,符合 AEC-Q101 标准,特别设计用于汽车和严酷工作环境的应用。这款 MOSFET 采用了 TrenchMOS™ 技术,以实现优异的导通特性和低的导通电阻,适合多种高频和高速开关应用。
电流承载能力: BUK9M24-60EX 在 25°C 的环境温度下,具有32A的连续漏极电流 (Id),可为各种动力系统和电气管理提供可靠的支持。同时,该器件的工作温度范围为 -55°C 到 175°C,允许其在极端温度条件下正常工作,这使其成为严酷环境下的理想选择。
导通电阻: 在不同的 Id 和 Vgs 条件下,该 MOSFET 的导通电阻 (Rds On) 最大值为 21 毫欧(在 10A 和 10V 时测得),这确保了其低功耗运行和高效率,适合电池驱动和能量敏感型应用。
阈值电压 (Vgs(th)): BUK9M24-60EX 的阈值电压最大值为 2.1V(在 1mA 流量下),这为设计提供了更高的灵活性,能够在较低的栅极电压条件下实现有效的开关控制。
功率处理能力: 器件的最大功率耗散 (Pd) 额定值为 55W (Tc),确保了高负载应用的安全性与效率。这意味着 BUK9M24-60EX 能够有效地处理大功率应用,并保持较低的发热量。
电压与电容性特性: BUK9M24-60EX 的漏源电压 (Vdss) 额定为60V,适合用于中等电压的电源管理与电机驱动场合。此外,该器件的输入电容 (Ciss) 在 25V 时最大值为 1469pF,保持优秀的性能和响应速度,非常适合用于开关电源和 DC-DC 转换器。
栅极电荷: 在5V的驱动电压下,该 MOSFET 的最大栅极电荷 (Qg) 为 12.4 nC,为快速开关提供了必要的栅极驱动能力,有助于提升开关频率和系统效率。
封装与安装: BUK9M24-60EX 采用 LFPAK33 紧凑型表面贴装封装(SOT-1210),在尺寸和热管理方面提供了出色的平衡,非常适合高密度电路板设计。
BUK9M24-60EX 适合于多种应用场景,包括但不限于:
综上所述,BUK9M24-60EX 以其优异的性能参数、竞争力的导通电阻和广泛的应用范围,成为汽车及工业领域中不可或缺的现代电源管理解决方案。无论是高性能的电源转化还是严酷的环境应用,这款 MOSFET 都能满足设计师和工程师的需求,展现出强大的技术优势和可靠性。