SI2101A-TP
SI2101A-TP参数
| 制造商 | Micro Commercial Co | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 在售 | FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2A | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 130 毫欧 @ 1.5A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 3.9 nC @ 4.5 V | Vgs（最大值） | ±10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 290 pF @ 10 V | 功率耗散（最大值） | 450mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-323 | 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
SI2101A-TP手册
SI2101A-TP概述
SI2101A-TP 产品概述
SI2101A-TP是由Micro Commercial Co（MCC）制造的一款高性能P沟道MOSFET，广泛应用于各种电子电路中。这款MOSFET在市场上处于在售状态，凭借其卓越的电气特性和优良的热管理能力，被广泛应用于负载开关、功率管理、电源转换等领域。
基础参数
SI2101A-TP采用卷带（TR）包装，适合自动贴片组装，能显著提高生产效率。该器件采用SOT-323封装，尺寸小巧，助于空间受限的应用，特别适合移动设备和便携式设备的设计要求。
关键电气特性
漏源电压（Vdss）: SI2101A-TP的漏源电压额定值为20V，这使得它能够处理适度的电压应用，非常适合低到中等电压的电路设计。
电流能力: 在25°C环境温度下，该器件的连续漏极电流（Id）可达到2A。这种电流能力使得SI2101A-TP能在多种低至中等功率应用中稳定工作。
导通电阻（Rds On）: 该MOSFET在不同的电流（Id）和栅源电压（Vgs）下，其最大导通电阻为130毫欧（在4.5V和1.5A下）。低导通电阻特性有助于降低电能损耗，提升效率。
栅阈值电压（Vgs(th)）: SI2101A-TP的最大栅阈值电压为1V（在250μA下），表明该器件在较低的栅极电压下即可导通，非常适合低电压驱动场合。
栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）: 最大栅极电荷为3.9 nC（在4.5V下），输入电容为290 pF（在10V下），这些特性使得该MOSFET在高频应用中仍可保持较快的开关响应，减少开关损耗。
工作温度和功率散热能力
SI2101A-TP可以在-55°C至150°C的广泛工作温度范围内稳定运行，展现出卓越的抗热能力，适合极端环境应用。其功率耗散最大为450mW，意味着在正常工作的情况下，该MOSFET能够有效地处理信号而不会轻易过热，为设计的可靠性提供支持。
应用场景
SI2101A-TP广泛应用于：
负载开关: 由于其优秀的导通特性，SI2101A-TP适用于各种负载的开关控制，确保系统能够以高效的方式开关负载，例如电机控制、LED驱动等。
电源管理: 此产品能够在电源管理领域发挥重要作用，尤其是在开关电源、DC-DC转换器中，帮助提升整体效率。
汽车电子: 由于其宽广的工作温度范围，SI2101A-TP非常适合汽车电子应用，包括电源分配和功率控制等功能。
消费电子: 在手机、平板电脑等消费电子产品中，SI2101A-TP能够有效地用于功率开关，确保设备在高效稳定的状态下运行。
总结
SI2101A-TP作为一款高性能的P沟道MOSFET，凭借其优异的电气特性、宽广的应用范围和良好的散热能力，成为设计工程师在众多电源管理和负载开关应用中的理想选择。无论是在高频开关、功率管理，还是在极限温度环境下的使用场合，SI2101A-TP都为客户提供了可靠且高效的解决方案。