ULN2003V12DR 产品实物图片
ULN2003V12DR 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

ULN2003V12DR

商品编码: BM0219296422
品牌 : 
TI(德州仪器)
封装 : 
SOIC-16
包装 : 
编带
重量 : 
0.296g
描述 : 
达林顿晶体管阵列 ULN2003V12DR SOIC-16
库存 :
147(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
2.26
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.26
--
100+
¥1.73
--
1250+
¥1.5
--
2500+
¥1.42
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

ULN2003V12DR参数

晶体管类型7 NPN 达林顿电流 - 集电极 (Ic)(最大值)500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)20V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)1.6V @ 500µA,350mA
电流 - 集电极截止(最大值)50µA工作温度-40°C ~ 125°C (TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装16-SOIC制造商Texas Instruments
包装卷带(TR)零件状态有源
基本产品编号ULN2003

ULN2003V12DR手册

empty-page
无数据

ULN2003V12DR概述

ULN2003V12DR 产品概述

一、引言

ULN2003V12DR 是一款高性能的达林顿晶体管阵列,广泛应用于各种电子设备中,以实现高电流驱动和信号放大功能。由德州仪器(Texas Instruments)制造,ULN2003V12DR 采用便于表面贴装的 16-SOIC 封装,具有出色的功能特性和安装灵活性,是当前市场上应用较为广泛的达林顿阵列之一。

二、主要特性

  1. 类型和形式

    • ULN2003V12DR 是一款7通道 NPN 达林顿晶体管阵列,能够高效驱动负载。
  2. 电流和电压

    • 该器件具备最大集电极电流(Ic)为 500mA,适用于多个高功率应用场景。
    • 最大集射极击穿电压(Vce)为 20V,确保其在一定的电压范围内稳定工作。
  3. 饱和压降

    • 在输入电流(Ib)为 500µA 和 350mA 的情况下,Vce 的饱和压降最大值为 1.6V,使得此器件在较低的驱动电流下便能输出高电流,降低了功耗。
  4. 截止电流

    • 最大集电极截止电流为 50µA,显示出其优异的开关性能,适合要求高精度和低泄漏电流的应用。
  5. 工作温度范围

    • ULN2003V12DR 的工作温度范围为 -40°C 至 +125°C(结温TJ),使其能够在严苛环境条件下稳定运行,满足工业级和汽车级应用的严格要求。
  6. 封装类型

    • 该器件采用 16-SOIC 封装,封装宽度为 3.90mm,适合进行密集型电路设计,并且便于自动化贴装。
  7. 包装形式

    • ULN2003V12DR 提供卷带(TR)包装,利于大批量生产和自动化组装,提高了生产效率和成本效益。

三、应用领域

ULN2003V12DR 的应用领域非常广泛,主要包括但不限于以下几种:

  1. 电机驱动

    • 可用于步进电机和直流电机的驱动,尤其是在多电机控制的场景下,通过多个输出通道实现精确控制。
  2. 继电器驱动

    • 可作为继电器的驱动器使用,以控制高功率负载,确保可靠的开关和隔离功能。
  3. 灯光控制

    • 适合应用于各种灯光控制系统,如LED灯条控制和氛围灯控制等。
  4. 逻辑电路

    • 可用于构建各种逻辑电路,实现信号的放大和转发。
  5. 自动化设备

    • 在自动化和控制系统中,ULN2003V12DR 可与微控制器结合,实现精确的开关控制。

四、总结

ULN2003V12DR 达林顿晶体管阵列凭借其优异的性能和多功能性,成为了高电流驱动、信号放大等多种电子应用的理想选择。它的设计有效地结合了高电流开关能力和紧凑的封装形式,适合复杂的电气环境需求。德州仪器的可靠性和技术支持,使得使用 ULN2003V12DR 的设计师能够在产品开发和市场竞争中获得良好的表现,因而该元器件在工业控制、汽车电子及消费类电子等领域得到了广泛的应用和认可。通过选择 ULN2003V12DR,设计师不仅能提升产品的性能,还能优化系统的整体效率,降低功耗,推进智能化解决方案的实现。