晶体管类型 | 7 NPN 达林顿 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 20V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 1.6V @ 500µA,350mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 50µA | 工作温度 | -40°C ~ 125°C (TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 16-SOIC | 制造商 | Texas Instruments |
包装 | 卷带(TR) | 零件状态 | 有源 |
基本产品编号 | ULN2003 |
ULN2003V12DR 是一款高性能的达林顿晶体管阵列,广泛应用于各种电子设备中,以实现高电流驱动和信号放大功能。由德州仪器(Texas Instruments)制造,ULN2003V12DR 采用便于表面贴装的 16-SOIC 封装,具有出色的功能特性和安装灵活性,是当前市场上应用较为广泛的达林顿阵列之一。
类型和形式:
电流和电压:
饱和压降:
截止电流:
工作温度范围:
封装类型:
包装形式:
ULN2003V12DR 的应用领域非常广泛,主要包括但不限于以下几种:
电机驱动:
继电器驱动:
灯光控制:
逻辑电路:
自动化设备:
ULN2003V12DR 达林顿晶体管阵列凭借其优异的性能和多功能性,成为了高电流驱动、信号放大等多种电子应用的理想选择。它的设计有效地结合了高电流开关能力和紧凑的封装形式,适合复杂的电气环境需求。德州仪器的可靠性和技术支持,使得使用 ULN2003V12DR 的设计师能够在产品开发和市场竞争中获得良好的表现,因而该元器件在工业控制、汽车电子及消费类电子等领域得到了广泛的应用和认可。通过选择 ULN2003V12DR,设计师不仅能提升产品的性能,还能优化系统的整体效率,降低功耗,推进智能化解决方案的实现。